GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图...
衬底技术资料
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衬底作为电子器件制造中的基础材料，对于半导体性能起着决定性作用。无论是硅、蓝宝石还是碳化硅等不同材质的衬底，在微电子、光电子以及功率器件等领域都有着广泛的应用。了解和掌握各种衬底材料的特点及加工技术，对于提升产品性能至关重要。本页面汇集了12个精选资源，涵盖最新研究成果与应用案例，是每位希望深入了解衬底技术及其在现代电子产品中重要作用的工程师不可多得的学习宝库。
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<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B）和源极（S）相连。mos和mos4能调整的属性不同，如图：...
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