NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(c...
薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(c...
采用薄膜电阻技术实现高精度过流保护,具备优异的热稳定性与响应速度。基于行业标准设计,适用于多种工业场景中的电流监控与防护需求,提升系统可靠性与安全性。
就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨, 实验结果表明: 可以选用国产0 号镍, 采用S2枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻; 合适的热处理工艺是保证电阻温度系数A值及其一致性的关键
采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量(可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管)->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf