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就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨, 实验结果表明: 可以选用国产0 号镍, 采用S2枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻; 合适的热处理工艺是保证电阻温度系数A值及其一致性的关键
采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量（可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管）->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
针对单机版薄膜蒸发器参数化设计系统的诸多局限性，研究了B/S 模式远程参数化设计的基本原理及实现方法，并开发了基于WebClass 的薄膜蒸发器远程参数化设计系统，对实现其它过程设备的远程参数化设计有
资料->【B】电子技术->【B3】传感测量->【1】传感检测->【_其它传感器】->霍尔传感器->InSb多晶薄膜霍尔传感器的性能研究.pdf
介绍一种用锑化铟—铟( InSb2In) 共晶体薄膜磁敏电阻(MR) 制成的齿轮转速传感器( GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为95μV , 磁敏电阻器与齿轮的距
薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案. 只有内部端接不包含银或铜质材料的片状电阻器，或者那些内部端接由硫无法渗透的中间层加以保护的片状电阻器，才能够完全不受硫污染的影响。市场上存在具有竞争力的基于厚膜的解决方案，它们有一定防硫效果，但仍不能完全...