NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(c...
薄膜应力是指沿截面厚度均匀分布的应力成分,它等于沿所考虑截面厚度的应力平均值。由无力矩理论求解的壳体应力均为薄膜应力,且属一次薄膜应力。[1]
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(c...
当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小,而对开路电压的影响较大 当光照较强时,二极管电流远大于漏电电流,此时并联电阻对光电池影响较小,串联电阻对开路电压机会没有影响,但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池,提高...
基于工业自动化标准设计,采用PLC与HMI协同控制架构,实现BOPET聚酯薄膜生产线的智能化升级。包含完整技术方案与电路图,适用于工程实践与毕业设计参考。
采用薄膜电阻技术实现高精度过流保护,具备优异的热稳定性与响应速度。基于行业标准设计,适用于多种工业场景中的电流监控与防护需求,提升系统可靠性与安全性。
基于Matlab实现多层光学薄膜的特征矩阵数值计算,提供可直接用于科研与工程分析的成熟代码。经过多个项目验证,具备高精度与稳定性,适合光学设计与材料研究领域应用。
就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨, 实验结果表明: 可以选用国产0 号镍, 采用S2枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻; 合适的热处理工艺是保证电阻温度系数A值及其一致性的关键
采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器