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膜片钳

  • 百年孤独 txt

    被誉为“再现拉丁美洲历史社会图景的鸿篇巨著”的《百年孤独》,是加西亚·马尔克斯的代表作,也是拉丁美洲魔幻现实主义文学作品的代表作。全书近30万字,内容庞杂,人物众多,情节曲折离奇,再加上神话故事、宗教典故、民间传说以及作家独创的从未来的角度来回忆过去的新颖倒叙手法等等,令人眼花缭乱。但阅毕全书,读者可以领悟,作家是要通过布恩地亚家族7代人充满神秘色彩的坎坷经历来反映哥伦比亚乃至拉丁美洲的历史演变和社会现实,要求读者思考造成马贡多百年孤独的原因,从而去寻找摆脱命运括弄的正确途径。 从1830年至上世纪末的70年间,哥伦比亚爆发过几十次内战,使数十万人丧生。本书以很大的篇幅描述了这方面的史实,并且通过书中主人公带有传奇色彩的生涯集中表现出来。政客们的虚伪,统治者们的残忍,民众的盲从和愚昧等等都写得淋漓尽致。作家以生动的笔触,刻画了性格鲜明的众多人物,描绘了这个家族的孤独精神。在这个家族中,夫妻之间、父子之间、母女之间、兄弟姐妹之间,没有感情沟通,缺乏信任和了解。尽管很多人为打破孤独进行过种种艰苦的探索,但由于无法找到一种有效的办法把分散的力量统一起来,最后均以失败告终。这种孤独不仅弥漫在布恩地亚家族和马贡多镇,而且渗入了狭隘思想,成为阻碍民族向上、国家进步的一大包袱。作家写出这一点,是希望拉美民众团结起来,共同努力摆脱孤独。所以,《百年孤独》中浸淫着的孤独感,其主要内涵应该是对整个苦难的拉丁美洲被排斥现代文明世界的进程之外的愤懑和抗议,是作家在对拉丁美洲近百年的历史、以及这块大陆上人民独特的生命力、生存状态、想象力进行独特的研究之后形成的倔强的自信。 加西亚·马尔克斯遵循“变现实为幻想而又不失其真”的魔幻现实主义创作原则,经过巧妙的构思和想象,把触目惊心的现实和源于神话、传说的幻想结合起来,形成色彩斑斓、风格独特的图画,使读者在“似是而非,似非而是”的形象中,获得一种似曾相识又觉陌生的感受,从而激起寻根溯源去追索作家创作真谛的愿望。魔幻现实主义必须以现实力基础,但这并不妨碍它采取极端夸张的手法。如本书写外部文明对马贡多的侵入,是现实的,但又魔幻化了:吉卜赛人拖着两块磁铁“……挨家串户地走着……铁锅、铁盆、铁钳、小铁炉纷纷从原地落下,木板因铁钉和螺钉没命地挣脱出来而嘎嘎作响……跟在那两块魔铁的后面乱滚”;又如写夜的寂静,人们居然能听到“蚂蚁在月光下的哄闹声、蛀虫啃食时的巨响以及野草生长时持续而清晰的尖叫声”;再如写政府把大批罢工者杀害后,将尸体装上火车运到海里扔掉,那辆火车竟有200节车厢,前、中、后共有3个车头牵引!作家似乎在不断地变换着哈哈镜、望远镜、放大镜甚至显微镜,让读者看到一幅幅真真假假、虚实交错的画面,从而丰富了想象力,收到强烈的艺术效果。 印第安传说、东方神话以及《圣经》典故的运用,进一步加强了本书的神秘气氛。如写普罗登肖的鬼魂日夜纠缠布恩地亚一家,便取材于印第安传说中冤鬼自己不得安宁也不让仇人安宁的说法;有关飞毯以及俏姑娘雷梅苔丝抓住床单升天的描写是阿拉伯神话《天方夜谭》的引伸;而马贡多一连下了四年十一个月零两天的大雨则是《圣经·创世纪》中有关洪水浩劫及挪亚方舟等故事的移植。拉丁美洲的民间传说往往带有迷信色彩,作家在采用这些民间传说时,有时把它们作为现实来描写;如好汉弗朗西斯科“曾和魔鬼对歌,击败了对手”;阿玛兰塔在长廊里绣花时与死神交谈等等。有时则反其意而用之,如写尼卡诺尔神父喝了一杯巧克力后居然能离地12厘米,以证明“上帝有无限神力”等等,显然是对宗教迷信的讽刺和嘲笑。 本书中象征主义手法运用得比较成功且有意义的,应首推关于不眠症的描写。马贡多全体居民在建村后不久都传染上一种不眠症。严重的是,得了这种病,人会失去记忆。为了生活,他们不得不在物品上贴上标签。例如他们在牛身上贴标签道:“这是牛,每天要挤它的奶;要把奶煮开加上咖啡才能做成牛奶咖啡。”这类例子书中比比皆是,作家意在提醒公众牢记容易被人遗忘的历史。 另外,作家还独创了从未来的角度回忆过去的新颖倒叙手法。例如小说一开头,作家就这样写道:“许多年之后,面对行刑队,奥雷良诺·布恩地亚上校将会回想起,他父亲带他去见识冰块的那个遥远的下午。”短短的一句话,实际上容纳了未来、过去和现在三个时间层面,而作家显然隐匿在“现在”的叙事角度。紧接着,作家笔锋一转,把读者引回到马贡多的初创时期。这样的时间结构,在小说中一再重复出现,一环接一环,环环相扣,不断地给读者造成新的悬念。 最后,值得注意的是,本书凝重的历史内涵、犀利的批判眼光、深刻的民族文化反省、庞大的神话隐喻体系是由一种让人耳目一新的神秘语言贯串始终的。有的评家认为这部小说出自8岁儿童之口,加西亚·马尔克斯对此说颇感欣慰。这是很深刻的评判目光。因为这种直观的、简约的语言确实有效地反映了一种新的视角,一种落后民族(人类儿童)的自我意识。当事人的苦笑取代了旁观者的眼泪,“愚者”自我表达的切肤之痛取代了“智者”貌似公允的批判和分析,更能收到唤起被愚弄者群体深刻反省的客观效果。 (林一安)

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    上传时间: 2016-09-01

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  • stm8s模拟iic

    void IIC_Init(void) {                             //由于STM8单片机,可以在输入和输出条件下读取IO口状态,故直接设置为输出。     GPIO_Init(IIC_SCL_PORT, IIC_SCL_PIN, GPIO_MODE_OUT_OD_HIZ_SLOW );     GPIO_Init(IIC_SDA_PORT, IIC_SDA_PIN, GPIO_MODE_OUT_OD_HIZ_SLOW );     IIC_SCL_H;     IIC_SDA_H; } //产生IIC起始信号 void IIC_Start(void) {     IIC_SDA_H;                         IIC_SCL_H;     Delay_us();     IIC_SDA_L; //START:when CLK is high,DATA change form high to low      Delay_us();     IIC_SCL_L; //钳住I2C总线,准备发送或接收数据  }

    标签: stm8s iic 模拟

    上传时间: 2018-01-10

    上传用户:m009988

  • IGBT失效分析技术

    近年来,对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件,利用静态测试仪3716,SEM(Scanning Electrom Microscope,扫描电子显微镜)、EDX(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪)、FIB(Focused lon beam,聚焦高子束)切割、TEM(Thermal Emmision Microscope,高精度热成像分析仪)等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析,并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1,对于栅极失效的情况,本论文先经过电特性测试完成预分析,并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路,找到最小点并进行失效原因分析,针对相应原因提出改进方案。2,针对开通与关断瞬态过电流失效,采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析,以文献为参考进行失效原因分析,利用saber仿真进行失效原因验证。3,针对通态过电流失效模式,采用解剖分析来评估损伤情况,探究失效原因,并采用电感钳位电路进行实验验证。4,针对过电压失效模式,采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况,基于文献归纳并总结出传统失效原因,并通过大量实验得出基于封装的失效原因,最后采用saber仿真加以验证。

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:1208020161

  • 三相三电平逆变器驱动PMSM的模型预测控制研究

    电力电子技术的发展使电机驱动系统摆脱了常规两电平逆变器拓扑的限制,电机驱动系统与多电平逆变器的结合成了新的思路。多电平逆变器的输出电平数多,因此其输出波形更好,在大容量交流调速系统中优势明显。作为多电平逆变器的研究基础,三电平逆变器应用最为广泛,而其中首选的是二极管钳位型三电平逆变器。因此采用二极管钳位型三电平逆变器驱动PMSM的模型预测控制系统作为研究对象。在PMSM驱动系统中,位置与转速的检测是非常重要的,一般采用的方法是通过机械传感器来进行测量,但这种测量方法在实际应用中有很多缺陷,会降低电机系统的稳定性和可靠性,同时会增加成本。而无速度传感器技术是通过检测电机中的电流或电压,来对电机的实际转速和位置信息进行估计,这种技术省略了常规使用的机械传感器,能够实现电机系统的高精度、高动态性能的控制。因此PMSM的无速度传感器控制技术成为了近些年的研究热点。主要研究内容分为以下几个方面:(1)基于同一Pl转速调节器,设计三电平逆变器驱动PMSM模型预测转矩控制系统,与两电平逆变器驱动PMSMMPTC系统对比,并对两个系统的运行性能进行对比分析。(2)为进一步提高系统响应性能,克服未知负载转矩扰动、增强系统鲁棒性,设计扩张状态负载转矩观测器,进而得到将负载转矩观测器和基于幂函数滑模转速调节器相结合的复合控制器。(3)设计基于分数阶滑模观测器的PMSMMPCC系统,实现对电机转速的快速准确估计。

    标签: 逆变器 驱动 pmsm

    上传时间: 2022-06-24

    上传用户:xsr1983

  • 十个精密整流电路的详细分析

    图1是最经典的电路,优点是可以在电阻R5上并联滤波电容.电阻匹配关系为R1=R2,R4=R5=2R3;可以通过更改R5来调节增益当Ui>O时,分析各点电压正负关系可知D1截止,D2导通,R1,R2和A1构成了反向比例运算器,增益为-1,R4,R3,R5和A2构成了反向求和电路,通过R4的支路的增益为-1,通过R3支路的增益为2,等效框图如下:当Ui<0时,分析各点电压的正负关系可知,D1导通,D2截止,A1的作用导致R2左端电压钳位在0V,A2的反馈导致R3右端电压钳位在0V,所以R2、R3支路两端电位相等,无电流通过,R4,R5和A2构成反向比例运算器,增益为-1,输入阻抗仍为R1R4。因此,此电路的输出等于输入的绝对值。此电路的优点:输入阻抗恒等于R1IR4,输入阻抗低,调节R5可调节此电路的增益大小,在R5上并联电容可实现滤波功能。此电路适用低频电路,当频率大时,输出电压产生偏移,且输入电压接近0V时,输出电压失真,二极管的选型也非常重要,需选导通压降大些的。输入信号小时,也会影响最终输出。

    标签: 精密整流电路

    上传时间: 2022-06-25

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  • TMS320F28027的数字控制移相全桥DCDC变换器设计

    移相全桥软开关PWM变换器是直流电源实现高频化的理想拓扑之一,尤其在中大功率场合应用十分广泛。实现全桥变换器移相PWM控制的传统方法是通过采用专用集成控制芯片(UC3875、UCC3895等)来调节变换器前后臂间的导通相位差,以实现PWM模拟控制四。相对于模拟控制,数字控制由于具有集成度高、控制灵活、设计延续性好、易于实现通讯等优点而在电力电子领域得到应用。近年来,随着数字信号处理技术日趋成熟,各种微控制器性价比的不断提高,采用数字控制已成为中大功率开关电源的发展趋势问。本文采用一种在变压器原边增加一个谐振电感和两个钳位二极管的全桥变换器作为主电路,利用TI公司最新一款专注于电源数字控制的DSP微控制器对其进行峰值电流模式数字移相控制,完成了一台1.2kW(120V/10A)的样机。

    标签: tms320f28027 dc/dc变换器

    上传时间: 2022-07-17

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  • 电子设计竞赛--智能万用表设计

    本设计能够精确的测量直流电压、交流电压和电阻,具有测量精度高,抗干扰能力强等特点。整个系统可以用一块9V电池供电,实现了低功耗和便携功能。小电阻测量是采用独立恒流供电端口四端子测量法,从而减小了接触电阻的影响,实现了小电阻高精度测量;交流测量是用AD637真有效值转换芯片将交流信号转换成直流电压后测量;用带钳位保护的反向放大器进行输入电压转换,实现了10MΩ的输入阻抗和高安全性。电路中关键器件采用TI公司的精密运算放大器OPA07和仪表放大器INA128,实现了高精度的测量;ADC采用MC14433芯片;控制器选用TI公司的MSP430单片机,实现了低功耗,量程自动切换功能。另外,通过利用和改装波段开关,实现了测量档位转换的便捷和可靠。该作品的所有性能指标远远超出题目的设计要求。

    标签: 电子设计竞赛 智能万用表

    上传时间: 2022-07-21

    上传用户:zhaiyawei

  • 近200份MOSFET IGBT应用入门与精通学习资料合集

    MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………

    标签: 制造 工程师 实体 数控加工

    上传时间: 2013-07-01

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