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而提 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 3 篇文章,持续更新中。

喇叭共振和预防研究

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电感和磁珠的区别及应用场合和作用

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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/