纳
共 3 篇文章
纳 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 3 篇文章，持续更新中。
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失
用于定量表示ADC动态性能的常用指标有六个，分别是：SINAD(信纳比)、ENOB(有效位 数)、SNR(信噪比)、THD(总谐波失真)、THD + N(总谐波失真加噪声)和SFDR(无杂散动态 范围)
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别