米勒
共 19 篇文章
米勒 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 19 篇文章，持续更新中。
619鲍米勒伺服电机驱动器英文使用手册
618/619鲍米勒伺服电机驱动器英文使用手册.
NFC米勒编码模块设计
针对ISO14443协议编写的NFC芯片的米勒编码数据发送模块
使用Si828x驱动MOSFET和IGBT开关
Si828x产品将隔离、栅极驱动器、故障检测保护和操作指示器集成到一个封装中，以驱动IGBT和MOSFET以及其他门控电源开关器件。大多数Si828x产品（Si8286除外）都有三个独立的输出引脚，提供独立的上升和下降时间设置和低阻抗钳位，以抑制米勒电压尖峰。本应用笔记提供了选择驱动程序运行所需的外部组件的指导。虽然本应用笔记讨论了驱动IGBT和MOSFET的主题，但用户可以使用相同的概念来驱动其
新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
<p>IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）</p><p>绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）</p><p>和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽
光耦驱动IGBT电路及应用
<p>介绍了构成IGBT驱动电路的基本要求，分析光耦驱动门极电路原理及理论计算，阐述了采用光耦驱动产生米勒效应的原理。最后，给出了消除米勒效应的方法以及通过实验验证了消除米勒效应的效果。</p>
MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制
<p>设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导
MOS管的米勒效应-讲的很详细
<p>MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
魏德米勒继电器产品目录（超级详细）
魏德米勒继电器产品目录（超级详细），用于选型
米勒拉宾算法判断大质数
米勒拉宾算法判断大质数，对质数的判断为必要条件，而非充分条件
本程序为米勒状态机经典设计模块
本程序为米勒状态机经典设计模块，对用状态机设计程序控制部分具有指导意义
VHDL源代码程序
VHDL源代码程序，使用VHDL语言编写，米勒，莫尔型状态机
初学密码内容
初学密码内容，共享下实现的米勒素数测试代码，请多多指教
此程序为带摩尔输入、米勒输出状态的状态机控制部分
此程序为带摩尔输入、米勒输出状态的状态机控制部分
这是讲解状态机的一个资料
这是讲解状态机的一个资料，里面讲解了摩尔和米勒状态机的设计实例，很详细且有实例。
熔断器在公共电网中的电缆保护的历史和未来
熔断器在公共电网中的电缆保护（从变压器下端至终端用户上端）的历史和未来:配电网络的安全<BR>仅需考虑短路故障发生时的保护<BR>不需过多考虑过电流<BR>不需过多考虑过载<BR>不需远程控制<BR>不需经常操作<BR>不需专业人员进行操作<BR>不需手动调整<BR>概述：<BR>1866年当西门子发明第一台发电机时，德国建立了发电厂。（爱迪生在1879年发明了第一个灯泡，金米勒公司成立于1897
十种状态机例子（VHDL）包括米勒型和莫尔型的状态机。
十种状态机例子（VHDL）包括米勒型和莫尔型的状态机。
VHDL源代码
VHDL源代码，使用VHDL语言编写，米勒型状态机
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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