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论文简述了半导体芯片互连凸点的电迁移现象及其基本理论,综述了国内外的研究现状,设计了倒装芯片封装技术中无铅凸点电迁移的研究内容和试验方案。进行了电迁移的试验研究和数值计算,并且深入探讨和分析了影响电迁移的因素。研究发现,当电流密度超过电迁移门槛值时,电流密度的增加显著的减短了中值失效时间。这主要是由...

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业务执行繁忙和资源分配不均可能降低个别磁盘池的I/O 响应速度,影响请求的正常响应。该文通过在不同磁盘池之间进行逻辑磁盘(LD)移动处理,利用空闲磁盘池中的容量做成一个预约LD,在空闲时间后台并行进行...

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