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移相全桥

  • 三相IGBT全桥隔离驱动电源设计

    三相IGBT全桥隔离驱动电源设计                

    标签: igbt 隔离 电源

    上传时间: 2022-04-04

    上传用户:bluedrops

  • IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计

    IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计                   

    标签: igbt

    上传时间: 2022-04-04

    上传用户:1208020161

  • 800W全桥充电器原理图

    800W全桥充电器原理图                

    标签: 充电器

    上传时间: 2022-04-05

    上传用户:zhanglei193

  • 基于SG3525的全桥变换器控制驱动电路的设计

    基于SG3525的全桥变换器控制驱动电路设计

    标签: sg3525 全桥变换器 驱动电路

    上传时间: 2022-04-05

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  • 商用电磁炉全桥和半桥的区别

    商用电磁炉全桥和半桥的区别                   

    标签: 电磁炉

    上传时间: 2022-04-05

    上传用户:canderile

  • matlab/Simulick的全桥LLC闭环系统仿真

    一种基于matlab/Simulick的全桥LLC闭环系统仿真

    标签: llc 仿真 matlab

    上传时间: 2022-04-08

    上传用户:trh505

  • LLC串联谐振全桥DC/DC变换器的研究 华中科技大学论文

    华中科技大学 LLC 串联全桥论文

    标签: 直流-直流变换器 软开关 串联谐振

    上传时间: 2022-05-12

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  • IGBT超音频串联移相调功感应加热电源的研究.

    本文以超音频串联谐振式感应加热电源为研究对象,应用锁相环和PID技术,采用数字信号处理器(DSP)和复杂可编程逻辑器件(CPLD)联合控制的数字化技术实现感应加热电源的频率跟踪和0~1800自由移相调功,为感应加热电源系统的数字化、信息化、柔性化、智能化控制提供了优质、可靠的技术基础。论文首先介绍了感应加热的基本原理及感应加热技术的发展动态。然后通过对感应加热电源中的主电路拓扑进行分析,比较串联谱振逆变电路与并联谐振逆变电路的优缺点,选择了更适合超音频感应加热电源的串联语振主电路。在确定了设计方案后,详细分析了电源的主电路结构并进行了系统各组成部分器件的参数计算和选取。通过对锁相环原理进行了分析,提出一种基于DSP的数字锁相环(DPLL)的实现方法。论文在分析和对比了感应加热电源的各种调功方式后,选择了移相调功对感应加热电源进行恒流调节。通过两种硬件方案的对比,确定了一种最佳方案,实现了基准臂与移相臂之间移相角的数字控制信号的产生。论文搭建了以TMS320LF2407A为控制核心的硬件控制平台。包括了采样电路、保护电路、驱动电路、显示电路等外围电路。在此基础上编制了系统的程序,完成了样机,并对其进行了整机联调,给出了电源的实测波形。实验结果证明基于DSP的DPLL完全可以胜任超音频的频率跟踪,系统硬件电路可靠,程序运行良好。

    标签: igbt 音频 电源

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:20125101110

  • 多绕组移相整流变压器的设计研究

    由于多绕组移相整流变压器的二次线圈互相存在一个相位差,实现了输入多重化,由此可以消除变频器各单元产生的谐波对电网的污染,是高压变频器成为“绿色”电力电子产品的重要组成部分。本文以高压变频器中多绕组移相整流变压器为主要研究对象,进入了深入的研究,主要包括以下几方面:1、对移相整流变压器的研究现状和发展趋势作了较为全面的综述,介绍了移相整流变压器在高压变频器中的作用。2、分析了多绕组移相整流变压器的移相原理。研究了多绕组移相整流变压器励磁涌流产生的原因、后果及如何解决。3、分析了ZTSG-530/6移相整流变压器的主要参数计算、结构设计。用Visual C++编程语言开发了多绕组移相整流变压器的电磁设计软件。4、对多绕组移相整流变压器的电磁场进行了详细的分析,运用电磁场有限元分析软件Maxwll3D对ZTSG-530/6移相整流变压器样机的瞬态磁场进行分析。5、根据设计,研制出样机并试验,得出试验数据,并对比分析了电磁设计软件的计算结果、试验结果和有限元分析结果,验证了所设计样机数据的合理性。

    标签: 整流变压器

    上传时间: 2022-06-25

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  • 20kW全桥谐振LLC转换器

    此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计,具有开尔文源极连接,可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口,以增加蠕变距离,以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松:在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V,65mΩSiCMOSFET时,评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。

    标签: 全桥谐振 LLC转换器

    上传时间: 2022-07-17

    上传用户:zhaiyawei