IGBT基本参数详解
1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆...
磷吸杂技术资料
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查看全部411个资源 »基于IGBT的750kVA三相二极管箝位型三电平通用变流模块设计
IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，...
IPC J-STD-033D-CN-湿度、再流焊和工艺敏感器件的操作、包装、运输及使用
简要介绍本文件的目的是，针对潮湿、再流焊和工艺敏感器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行IPC/JEDEC J-STD-033D，这些工艺可以提供从密封时间算起1...
STM32变频器方案 产品级 含详细软硬件设计说明
系统原理说明：结构上，该逆变器采用模块化的设计思想，分别为升压模块、逆变模块、低通滤波器等。通过升压模块M1进行DC/DC变化，将输入110VDC电压转换350VDC，然后通过逆变模块M2进行DC/AC变换，输出三相200VAC的SPWM波，最后经过输出滤波器滤波后输出三相200V正弦波。逆变器仅在...
基于51单片机的声光控智能灯设计（原理图含PCB源文件+仿真图+源程序
基于51单片机的声光控灯设计1. 单片机型号 ：STC89C52/51、AT89C52/51、AT89S52/51可以任选 。2.继电器吸合模拟开灯、继电器断开模拟关灯、发光二极管为开灯指示灯，继电器后面的接线柱是可以自己接220V的电灯的。3.利用光敏传感器感应光线亮暗变化，通过LM393电压比较...
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