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本文针对电磁脉冲对单片机系统实验模型的干扰效应问题进行了实验研究.实测数据表明,系统连线对脉冲场的耦合程度、电磁脉冲的上升时间和半峰值宽度均对干扰阈值产生显著的影响,但与电磁脉冲注入实验时上升时间和脉宽的影响规律不一致.
从多方面对单片机系统电磁干扰(EMI)产生的危害、根源及其原因做出了分析,根据相应的情况提出了抑制各类电磁干扰的方法,并列出了相应的解决电路.最后利用实验对所提出方法的可行性进行了检验.
共模干扰和差模干扰是电子、 电气产品上重要的干扰之一，它们 可以对周围产品的稳定性产生严重 的影响。在对某些电子、电气产品 进行电磁兼容性设计和测试的过程 中，由于对各种电磁干扰采取的抑 制措施不当而造成产品在进行电磁 兼容检...
共模干扰和差模干扰是电子、 电气产品上重要的干扰之一，它们 可以对周围产品的稳定性产生严重 的影响。在对某些电子、电气产品 进行电磁兼容性设计和测试的过程 中，由于对各种电磁干扰采取的抑 制措施不当而造成产品在进行电磁 兼容检...
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电磁干扰排查及故障解决的电磁兼容技术-235页-75.1M.pdf
电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M电磁干扰排查及故障解决的电磁兼容技术 235页 75.1M.pdf
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