碳化硅MOSFET
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碳化硅MOSFET 热门资料
功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。
2023-05-14
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电源工程师指南计算MOSFET
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2024-02-10
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介绍功率MOSFET的串行连接
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2024-03-13
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碳纳米管场致发射显示器驱动
碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。碳纳米管场致发射显示器的驱动电路设计与制作是碳纳米管场致发射显示器研究的一个重要部分。碳纳米管场致发射显示器制造技术日益成熟，尺寸逐渐增长，过去试验用的非专用驱动系统体积庞大、...
2024-03-11
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