硅雪崩二极管
共 37 篇文章
硅雪崩二极管 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 37 篇文章，持续更新中。
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
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氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
BTB06-800C（双晶硅）
双晶硅
光电二极管检测电路噪声分析
使用光电二极管检测光电信号。由于光电信号一般比较微弱，容易受到干扰，所以需要对信号的噪声特征进行分析，并在所得出结论的基础上设计出相应噪声处理电路，以解决噪声的问题。
快恢复二极管选型
电子发烧友网为大家提供了快恢复二极管选型。
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
模拟电子技术基础课件
学习模拟电子的基础，主要是二极管、三极管、MOS管的基础知识，对理解这些非常的有帮助，不看后悔吧
10Gbits GPON系统的完整，紧凑型APD偏置解决方案
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130522164034G1.jpg" style="width
LTC1099半闪速8位AD转换数字光电二极管阵列
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<span style="color: rgb(26, 24, 24); font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 15px; ">This application note describes a Linear Technology "Half-Flash" A/D converter, the
雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
二极管抽运调Q固体激光器的设计方法研究
通过对速率方程的数值求解,得到二极管泵浦调<em>Q</em>固体激光器的性能参数,即由激光器的结构参数和泵浦参数,求解出激光器的输出参数。然后将其求解得到的输出与设计要求的激光器输出进行比较,由此对输入的结构参数和泵浦参数进行反复调整,直至最终输出参数满足设计要求的误差.<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120
压控振荡电路的设计
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能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。</p>
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肖特基二极管SR520-SR5100
肖特基二极管SR520-SR5100
整流二极管参数6A01--6A07
整流二极管参数6A01--6A07
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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检波二极管
检波二极管