硅压力传感器
共 8 篇文章
硅压力传感器 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 8 篇文章，持续更新中。
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
<p>
</p>
<div>
氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
BTB06-800C（双晶硅）
双晶硅
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
高精度ADC
特征： 分辨率： 24 位（无失码） 有效位数： 21位（ PGA = 128 特征： 分辨率：24位（无失码） 有效位数：21位 输出码率：10Hz/80Hz（可选） 通道固定增益：128倍 对50Hz、60Hz噪声抑制：-100dB 工作电压：2.5v – 6v 可选择的内外置晶振 简单的SPI接口 应用场合： 电子秤、数字压力传感器； 血压计等医疗仪器； 微弱信号测量及工业控制 其他相关资料
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.c
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
BP5611微小型数字气压计模块
BP5611 是一款采用MEMS 技术将高线性压力传感器与一个低功耗的24 位模数转换电路（ADC）集成于一体的数字气压传感器模块。该产品支持SPI 和I2C 总线传输协议，可与任何微处理器匹配工作。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120302163356200.jpg" />
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.