直接驱动LCD
共 78 篇文章
直接驱动LCD 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 78 篇文章，持续更新中。
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
4-20mA，0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2k&o
美的51C LCD线路
LCD线路
电流无源采样仿真(multisim)
本电路是实际应用电路，参数设置仿真与实际应用相符，朋友们可直接采用！
DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC
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LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13052
PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
模拟示波器驱动
东震三号模拟示波器
MT-019 DAC接口基本原理
本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟，因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl
一种DDS任意波形发生器的ROM优化方法
<span style="color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋体, Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 25px;">提出了一种改进的基于直接频率合成技术（DDS）的任意波形发生器在现场可编程门阵列（FPGA）上的实现方法。首先将三角波、正弦波、方波和升/降锯齿波的波形数据写入片外存储器，当调用时再将相
AD8397轨到轨、高输出电流放大器
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AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8
基于FPGA的全新数字化PCM中频解调器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了对中频PCM信号进行直接解调，提出一种全新的数字化PCM中频解调器的设计方法。在实现过程中，采用大规模的FPGA芯片对位帧同步器进行了融合，便于设备的集成化和小型化。这种新型的中频解调器比传统的基带解调器具有硬件成
mos管门级驱动电阻计算
mos管门级驱动电阻计算
时钟分相技术应用
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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
宽带低EVM直接变频发射机
本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案（模拟基带输入、RF输出）。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO)，本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波，确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。<b
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
RF前置放大电路基础知识
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RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下:</p>
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(1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考</p>
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电压.</p>
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(2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成</p>
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电压信号进行放大处理.<br />
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