采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析
本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。 ...
本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。 ...
基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性...
采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。 ...
运算放大器集成电路,与其它通用集成电路一样,向低电压供电方向发展,普遍使用3V供电,目的是减少功耗和延长电池寿命。这样一来,运算放大器集成电路需要有更高的元件精度和降低误差容限。运算放大器一般位于电路系统的前端,对于时间和温度稳定性的要求是可以理解的,同时要改进电路结构和修调技术。当前,运算放大器是...
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性...