电荷密度
共 15 篇文章
电荷密度 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 15 篇文章，持续更新中。
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
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氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
LDPC码的稳定中断分析
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">对于一个给定的信道和一个特定的ldpc码族，针对由密度进化的不稳定性而造成的稳定中断事件，本文通过研究了BEC和AWGN信道中的稳定中断概率并确切表达了
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
应用工程师解答-零漂移运算放大器
<p>零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型，可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差，也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除，其次，相对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的
数字式液位测量仪设计
<P>本文设计数字式液位测量仪,采用双差压法对液位进行测量,有效地克服了液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。本设计的液位测量仪还能直接显示液位高度的厘米数。<BR>关键词:双差压法 液位测量仪</P>
<P>普通差压法测量液位, 精度无法保证。本文提出双差压法的改进方案,以克服液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。</P>
<P>双差压法液位测量原理<BR>普通差
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
低噪声电荷放大器TB6078
深圳潮光科技内部整理资料
L波段捷变频收发前端设计仿真
<span id="LbZY">针对应用于信息战的数据链而言，L波段收发前端是其关键部件之一。本文介绍了一种基于DDS的捷变频收发前端的理论分析、设计思路和基本构成。从接收链路、发射链路以及捷变频本振等方面进行分析，并给出仿真结果。该组件具有低噪声、高密度、捷变频等特点。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-13030416
电荷前置放大器的毕业设计
本设计是基于mulitisim的电荷灵敏前置放大器
600V_CoolMOS优化设计
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CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构，首先CoolMOS的结构人手，结合电荷平衡
DAC3484,DAC34H84输出功率定标
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DAC3484 和DAC34H84 是德州仪器（Texas Instruments）新推出的低功耗，高密度，高采样率，高性能的数模转换芯片，这款芯片目前已经广泛的应用在通信行业。本文详细介绍了DAC3484，DAC34H84 与正交调制器的输出接口以及输出功率定标的计算问题。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/3
量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12022G1102K24.jpg" />
信号放大电路
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LINE-HEIGHT: 18pt; mso-line-height-rule: exactly; tab-stops: 20.0pt"><FONT size=3>2-1 何谓测量放大电路？对其基本要求是什么？ <p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MA
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12