本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
上传用户：XuVshu
平板显示技术 应根裕 胡文波 邱勇 等编著 人民邮电出版社 内容提要本书重点介绍电视图像的平板显示技术及其在各个领域中的应用，全书共10意。第1章对7种已为市场认叮的平板显示技术作了全方位的比较。第2章介绍了与图像显示有关的人眼生理学、光度学、色度学和电视传输的基本原理，为了比较，对阴极射线管（CRT）显示技术也作了一定深度的描述。第3章至第9章分别对液品显示（LCD）、等离子体显示（PDP）、有机发光二极管（OLED）显示、电致发光显示（ELD）、场发射显示（FED）、真空荧光管显示（VFD）和发光二极管（1.ED）显示的原理、结构工艺、驱动电路和应用领域作了全面的介绍，第10章投影显示是作为大屏幕平板显示的有力竞争者而引人的。本书可作为大专院校物理电子、信息光电子、通信等相关专业的大学生和研究生教材，也可供平板显示技术的研发人员参考，同时也是平板显示器件爱好者的良师益友。
标签： 平板显示
上传时间： 2022-04-14
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超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明，这两种材料都具有较好的介电温度稳定性，P41具有明显的铁电体相变特点，PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性，同时缩短了极化时间，提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm，120 ℃极化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性，探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明，电机具有较好的瞬态特性，启动时间ams，关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快，与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关，说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时，P41电机的Qm较小而Aar比较大（TRUM-60 1型电机），具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高，最终在某一温度下稳定运转，采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机（TRLIM6011电机），与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关，因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大，不同尺寸电机具有不同的驱动性能.
上传时间： 2022-06-18
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简要介绍本文件的目的是，针对潮湿、再流焊和工艺敏感器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行IPC/JEDEC J-STD-033D，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。一般的IC封装零件都需要根据MSL标准管控零件暴露於环境湿度的时间，以确保零件不会因为过度吸湿在过回焊炉时发生popcom(爆裂)或delamination(分层)的后果，不同的零件封装会产生不同的MSL等级，当湿气进入零件越多，零件因温度而膨胀剥离的风险就越高，基本上湿度敏感的零件在出厂前都会经过一定时间及温度的烘烤，然后连同乾燥剂(desiccant)一起加入真空包装中来达到最低的湿气入侵可能。本文件的目的是，针对潮湿/再流焊敏感表面贴装器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由IPC和JEDEC开发。
标签： ipc j-std-033d
上传时间： 2022-06-26
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Sentaurus是Synopsys公司的专门用于半导体器件制造工艺和电学特性仿真的EDA软件，可以给出掺杂、电势分布等物理特性。
上传时间： 2022-06-27
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本资源为2015全国电设E题报告——基于锁相环的简易频谱仪内含原理分析方案对比及原理图，下面是本资源的部分内容：本系统采用MSP430F5529为主控器件，采用锁相环频率合成芯片ADF4110、三阶RC低通滤波器和压控振荡芯片MAX2606实现稳定的本振源，产生本征频率在90MHz～110MHz的恒定正弦信号；采用乘法器AD835实现对输出信号幅度的调整；同样采用AD835实现被测信号与本征信号的混频，经过低通滤波得到混频后的低频量由单片机上的ADC进行采样，能在80MHz～100MHz频段内扫描并显示信号频谱和主信号频率，并且够测量全频段内部分杂散频率的个数。经测试，本系统实现了题目要求的全部功能，且人机交互友好。
上传时间： 2022-07-05
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电控发动机教程(国优课件) PPT版
上传时间： 2013-04-15
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模电课件大全
标签： 模电
上传时间： 2013-04-15
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基本磁场测量实验 真空镀膜
上传时间： 2013-06-21
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