最新电子元器件产品大全 (第三册) 真空电子器件与显示器件.pdf
标签： 电子元器件
上传时间： 2022-01-07
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基于可编程逻辑器件的电源上电时序控制基于可编程逻辑器件的电源上电时序控制
上传时间： 2022-01-30
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近年来，人们对环境保护越来越重视，SF<,6>气体的使用和排放受到限制，从而使电器领域内SF<,6>断路器的发展也受到限制。而真空断路器充分利用了真空优异的绝缘与熄弧特性，且对环境不造成污染，所以目前在中压领域已经占据了主导地位，而且不断向高电压、大容量方向发展。因此，未来高压真空断路器必然取代高压SF<,6>断路器。真空灭弧室是真空断路器的“心脏”，所以，开发高压真空断路器最关键的是灭弧室的设计。本文对110kV的真空灭弧室的内部电磁场进行了仿真分析，为我国开发110kV真空断路器提供一定的参考。 本文采用有限元软件对110kV真空断路器灭弧室内部静电场进行了仿真分析，得到了灭弧室内部各种屏蔽罩的大小、尺寸和位置对电场分布的影响；触头距离对灭弧室内部电场分布的影响；伞裙对灭弧室内部电场分布的影响。再根据等离子体和金属蒸气具有一定导电率的特点，从麦克斯韦基本方程出发，推导了灭弧室内部电场所满足的计算方程，然后用有限元法对二维电场进行了求解。考虑到弧后粒子消散过程中，电极和悬浮导体表面会有带电微粒的存在，又计算分析了带电微粒对真空灭弧室电场分布的影响，进而提出了使灭弧室内部电场更加均匀的措施。 根据大电流真空电弧的物理模型，基于磁场对电流的作用力理论，计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应以及对分断电弧的影响，得到了弧柱中自生磁场产生的电磁压强分布，最后分析了外加纵向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用。 建立了110kV、1/2线圈以及1/3线圈纵向磁场触头三维电极模型，并利用有限元法进行了三维静磁场和涡流场仿真。得到了电流在峰值和过零时纵向磁场分别在触头片表面和触头间隙中心平面上的二维和三维分布，给出了这两种触头在电流过零时纵向磁场滞后时间沿径向路径和轴向路径的分布规律，最后还对这两种触头的性能进行了比较。
上传时间： 2013-07-09
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电缆偏心严重影响电缆的质量，因此在电缆生产时必须要进行偏心检测。该文针对目前我国电缆偏心检测技术落后的现状，提出采用电涡流检测方法来研制可以对电缆进行在线实时偏心检测的自动化系统，并对此项检测技术进行了详细研究。 该文先从偏心传感器、数据采集器和上位机系统三大部分对电涡流式电缆偏心检测系统进行了整体设计。完成了偏心传感器探头的设计并解决了偏心传感器振荡电路的电源供应问题和信号从旋转部件到静止部件的传输问题。以TLC2543A/D转换器和AT89C52单片机为核心器件设计了数据采集器，完成模拟信号到数字信号的转换，并通过RS-232串行通讯把采样数据传输给PC机。利用VisualBasic语言开发了软件系统，对接收的数据进行了处理并对结果进行了输出显示。 为了提高检测系统的精度，系统中采用了模拟滤波器和数字滤波器。根据检测系统中信号的特点，分别确定了模拟滤波器和数字滤波器的性能指标，设计了抗混叠的3阶巴特沃思模拟滤波器和5阶椭圆型ⅡR低通数字滤波器，并采用适当的方法进行了实现。在静态的电缆偏心检测实验系统中对滤波器的性能进行了验证。 偏心传感器是检测系统中的关键部件，它的性能至关重要。该文通过构造的静态实验系统对偏心传感器的性能进行了研究，分析了被测电缆线芯直径、检测线圈的匝数和检测探头的尺寸对偏心传感器性能的影响。
上传时间： 2013-06-19
上传用户：yt1993410
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶闸管驱动控制板，然后与晶闸管本体相结合即形成光控晶闸管工程化实现模型，其可作为光控晶闸管的替代技术。 在工程应用中，光控晶闸管的典型应用场合为四象限高压变频器和国家大型直流输变电系统等。随着国家节能工程的实施，高压变频器的应用范围越来越广泛，已成为工业节能中的重要环节。高压直流换流系统难度大，技术复杂，要求高，本论文研究的光控晶闸管替代技术只作为其储备技术之一。本论文以电流源型高压变频器作为该光控晶闸管替代技术的应用背景重点阐述。 电流源型高压变频器为了提高单机容量，通常是数个SCR串联使用。随着系统容量越来越大，装置对高压开关器件的要求也越来越高。如果一组串联SCR中某一个SCR该导通时没有导通，那么加在该组SCR上的电压都将加到该SCR上形成过电压，造成该器件的击穿损坏，甚至于一组串联SCR都被烧坏。为了克服上述问题，保证高压变频器中串联晶闸管能够安全可靠的工作，提高系统可靠性，有必要为晶闸管配备后备驱动系统。本文提出了给SCR驱动电路增设自供电驱动系统——SPDS （Self—Powered Drive System）的解决办法。SPDS基本功能是通过高位取能电路利用RC缓冲电路中的能量为监测电路和后备触发电路提供正常工作所需要的能量。它的优点是由于缓冲电路与晶闸管同电位，自供电驱动系统要求的电压隔离水平可以从几千伏降低到几百伏，节省了高压隔离变压器，节省了成本和体积，提高了系统可靠性。国外对相关内容已经有了深入研究，并将其应用在高压变频器产品中。在国内，目前还没有查到相关文献。本文为基于晶闸管的电流源型高压变频器设计了一种高压晶闸管自供电驱动系统，填补了国内空白，为自供电驱动系统的推广应用和其他高压开关器件自供电驱动系统的研制提供了参考。 本文详细介绍了串联高压晶闸管驱动系统的要求和RC缓冲电路的工作特 点，进而提出了SPDS的工作原理和具体实现方式，阐述了SPDS各部分组成及其功能。SPDS的核心技术是取能回路和触发方式的设计。本文在比较各种高压取能方式和触发方式优缺点的基础上，选择采用RC缓冲取能方式和光纤触发方式。 论文基于Multisim10仿真软件，结合高压晶闸管自供电驱动系统取能电路的原理，对高压晶闸管自供电驱动系统的核心部分——SPDS取能电路进行了仿真。通过搭建带SPDS取能电路的单相晶闸管仿真电路和电流源型高压变频器前侧变流电路的仿真模型，详细讨论了影响RC取能回路正常工作的各种因素。同时，通过设定仿真电路的参数，分析了其工作状况。根据得到的仿真波形图，证明了高压晶闸管自供电驱动系统可以达到有效触发晶闸管导通的设计目标，具有可行性。 为考察SPDS的实际工作性能，本文搭建了简易的SPDS低压硬件实验平台，为其高压条件下的工程化应用打好了基础。 在论文的最后，对高压晶闸管自供电驱动系统的发展方向进行了展望。 关键词：高压变频器；晶闸管驱动；自供电系统；高压换流；光控晶闸管
上传时间： 2013-05-26
上传用户：riiqg1989
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
矿用隔爆馈电开关是煤矿井下配电系统的关键设备，作为配电开关，用于含有瓦斯或煤尘等爆炸危险环境的矿井中，控制和保护低压供电网络。其性能好坏直接影响着煤矿井下的生产安全和生产效率，而目前国内馈电开关普遍存在集成度低、可靠性差、智能监控水平低等缺点。 本课题将嵌入式网络控制系统应用到馈电开关中，通过对矿山供电系统工作原理、真空馈电开关工作原理以及基于EasyARM2200(Philips LPC2210为处理器、ARM7为内核)嵌入式网络控制系统的研究，实现了总体网络拓扑结构的设计和智能馈电开关控制系统硬件电路的设计；通过对嵌入式实时操作系统的移植、嵌入式TCP/IP协议栈的实现和移植以及基于C/S模式下的套接字编程等的研究和分析，完成了监控主机与嵌入式系统的通信软件和保护控制算法的应用程序的编写，从而实现了矿井地面监控主机与井下嵌入式系统馈电开关的快速通信，解决了地面监控主机对井下馈电回路及电气开关的远程智能监控的难题，最终设计出一套集实时保护控制和远程监控功能于一身的智能型馈电开关网络控制系统。 实验结果表明：在嵌入式系统端的通信软件和监控主机端的通信软件的驱动下，实现了嵌入式系统与监控主机的快速远程通信，通信速度快、可靠性高、可视化效果好，完全满足了监控系统的快速通信要求。 本课题的研究成果为工业控制领域提供了一个开放式、全分布、可互操作性的通信控制平台，为提高煤矿井下设备的远程智能监控水平和安全操控系数提供了新的解决方法，为地面监控系统实现更大规模、更深层次地对井下电气设备的集中控制、分散管理奠定了理论和实践基础。
上传时间： 2013-06-25
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矿用隔爆馈电开关是煤矿井下配电系统的关键设备，用于含有瓦斯或煤尘等爆炸危险环境的矿井中，控制和保护低压供电网络。其性能好坏直接影响着煤矿井下的生产安全和生产效率。 论文将嵌入式网络控制系统应用到馈电开关中，通过对矿山供电系统工作原理、真空馈电开关工作原理以及基于EasyARM2200(Philips LPC2210为处理器、ARM7为内核)嵌入式网络控制系统的研究，实现了总体网络拓扑结构的设计和智能馈电开关控制系统硬件电路的设计；通过对嵌入式实时操作系统的移植、嵌入式TCP/IP协议栈的实现和移植以及基于C/S模式下的套接字编程等的研究和分析，完成了监控主机与嵌入式系统的通信软件和保护控制算法的应用程序的编写，从而实现了矿井地面监控主机与井下嵌入式系统馈电开关的快速通信，解决了地面监控主机对井下馈电回路及电气开关的远程智能监控的难题，设计完成了一套集实时保护控制和远程监控功能于-身的智能型馈电开关网络控制系统。
上传时间： 2013-05-21
上传用户：a937518043
本文内容来源于实际工程项目，属于FPGA技术在航空电子系统中的应用范畴。该项目的主要任务是通过设计—总线适配器将嵌入式航路控制器接入航电总线，使之成为航空电子系统的一部分。本文主要介绍航电总线适配器的设计，包括总线适配器接口协议分析、系统总体规划、主控制器的FPGA实现、硬件设计和软件设计等内容。 首先，本立在对项目背景、项目需求和总线适配器接口协议进行分析的基础上，规划了系统的总体结构。并且根据此系统结构制定了相应的转换协议，以规范数据传输。其次，根据系统设计要求选择主控制器和外围器件，并以此搭建硬件平台，完成系统硬件设计。本部分内容包括主控制器的FPGA实现分析以及系统硬件各功能模块如MIL-STD-1553B协议控制器模块、RS-422电平转换模块、FPGA配置模块和电源模块等的设计。最后介绍了系统的软件开发，此部分主要完成了软件的总体设计、功能模块的划分以及各功能模块的软件实现，包括BU-61580接口模块、异步串口模块和协议控制模块等的具体设计。
上传时间： 2013-05-22
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绪论 3线性及逻辑器件新产品优先性计算领域4PCI Express®多路复用技术USB、局域网、视频多路复用技术I2C I/O扩展及LED驱动器RS-232串行接口静电放电(ESD)保护服务器/存储10GTL/GTL+至LVTTL转换PCI Express信号开关多路复用I2C及SMBus接口RS-232接口静电放电保护消费医疗16电源管理信号调节I2C总线输入/输出扩展电平转换静电放电保护 手持设备22电平转换音频信号路由I2C基带输入/输出扩展可配置小逻辑器件静电放电保护键区控制娱乐灯光显示USB接口工业自动化31接口——RS-232、USB、RS-485/422继电器及电机控制保持及控制：I2C I/O扩展信号调节便携式工业（掌上电脑/扫描仪） 36多路复用USB外设卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制静电放电保护 对于任意外部接口连接器的端口来说，静电放电的冲击一直是对器件可靠性的威胁。许多低电压核心芯片或系统级的特定用途集成电路(ASIC)提供了器件级的人体模型(HBM)静电放电保护，但无法应付系统级的静电放电。一个卓越的静电放电解决方案应该是一个节省空间且经济高效的解决方案，可保护系统的相互连接免受外部静电放电的冲击。
上传时间： 2013-10-18
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