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·编者按:本资料编译自Forecast Intemational 2004年2月刊。通过对综合防御电子对抗(IDECM),即ALQ一214(V)和ALE一55(V)技术参数、设计特点和作战特点,以及该项目的背景、试验评估、近期合同和市场预测...
2024-07-30
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CMOS器件抗静电措施的研究
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。
2013-11-05
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