数电五版习题、数电四版教师手册、电路考研例题
上传时间： 2013-11-20
上传用户：如果你也听说
介绍了一种横向Ka波段宽带波导-微带探针过渡的设计，基于有限元场分析软件Ansoft HFSS对该类过渡的设计方法进行了研究。最后给出了Ka波段内的优化数据。仿真结果表明，该宽带波导-微带探针过渡在26.5G~40 GHz内插入损耗小于0.065 dB，达到了设计目标。
上传时间： 2014-05-27
上传用户：gxy670166755
数电实验课程设计
上传时间： 2013-11-03
上传用户：chengxin
数电Verilog相关课件
上传时间： 2013-10-23
上传用户：wangzeng
电磁阀设计中电磁力的工程计算方法
上传时间： 2013-11-21
上传用户：二驱蚊器
电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中，但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却没有一个有效的解决方法。为此，本文提出了以有、无缺陷的重复脉冲群检测信号的相关性作为判别标准，选取电磁导波激励脉冲群最佳重复频率，并从检测信号特征提取和识别的角度验证了本文选取的激励脉冲群最佳重复频率可有效提高导波检测信号之间的区分度，减小检测信号间的干扰，提高缺陷识别的准确性。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：ywcftc277
模电课程设计
上传时间： 2013-11-03
上传用户：sdq_123
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
数电实验6电路图
上传时间： 2013-10-25
上传用户：wentianyou
全面的模电解析，有助于入门提高
标签： 模电
上传时间： 2013-10-14
上传用户：zhang97080564
