基于C8051F021片上系统的电容式变送器设计
本文介绍一种基于C8051F021片上系统的电容式变送器的设计方法,对恒流充电法测量电容量的原理进行了详细的分析,设计的电容式变送器输入信号范围可以通过软件设置,输出为标准的4~20mA电流信号,能够和标准信号的工业仪表或计算机测控系统直接接口,并支持MODBUS协议的RS485现场总线通信。...
电容放电技术资料
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电容放电技术是电子工程中的基础概念之一，广泛应用于电源管理、信号处理及储能系统等多个领域。通过深入了解电容放电原理，工程师可以更好地设计高效稳定的电路。本页面汇集了1276个精选资源，包括但不限于实验教程、应用案例分析和技术论文等，旨在为专业人士提供全面的学习资料支持。无论是初学者还是经验丰富的开发者，都能在这里找到提升技能所需的知识点。探索更多关于RC电路、能量转换与存储等方面的前沿资讯，...
🔥 电容放电热门资料
查看全部1276个资源 »PCF8883T电容接近式开关产品简介
PCF8883T是NXP半导体最新推出的一款电容式接近开关，它采用了EDSIEN专利，用数字方法来检测遥感板的电容变化。...
PCF8883T—电容接近式开关
PCF8883T是NXP半导体最新推出的一款电容式接近开关，它采用了EDSIEN专利，用数字方法来检测遥感板的电容变化。通过使用连续自动校准功能，可以自动补偿静态的电容变化（而非动态的电容变化）。遥感板（如导电箔）可以直接连接到IC，也可以使用同轴电缆与IC远程连接。...
基于AT89C2051单片机的数字电容表设计
基于AT89C2051单片机的数字电容表设计:AT89C2051单片机的P1.0、P1.1的模拟输入阻抗很低，被测信号进行阻抗变换后，才能送入P1.0（电容积分信号）、P1.1（参考电压）。通过测量电容的积分信号达到参考电压的时间，来测量电容的容量大小。...
同地弹现象的分析和讲解
地弹的形成：芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源，同时，地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。 简单的构造如上图的一个小“场景”，芯片A为输出芯片，芯片B为接收芯片，输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输...
💻 电容放电源代码
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