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研究SOI NMOS器件在单粒子效应下电荷积累特性的技术论文,涵盖器件物理与辐射效应分析,适用于集成电路可靠性设计参考。

2026-03-19 1 电子特效

介绍了EMCCD 的结构原理, 详细分析了EMCCD 的噪声来源。利用在EMCCD 芯片内嵌入独特的全固态电子倍增结构, 实现放大信号, 抑制噪声的功能。通过对几种主要噪声的数学模型进行分析, 总结出EMCCD 噪声的3 点特性: EM 增...

2013-11-03 91 电子特效