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电场

电场是电荷及变化磁场周围空间里存在的一种特殊物质。这种物质与通常的实物不同,它虽然不是由分子原子所组成的,但它却是客观存在的特殊物质,具有通常物质所具有的力和能量等客观属性。[1]
  • 电场与漏电检测器

    0680、电场与漏电检测器

    标签:

    上传时间: 2014-04-09

    上传用户:64029332

  • 电荷电场 MATLAB

    关于电荷电场的MATLAB基础教学资料。

    标签: MATLAB 电荷 电场

    上传时间: 2019-07-22

    上传用户:菊爆一队长

  • 无线通信原理与应用-4.3电场和功率讲解

    该文档为无线通信原理与应用-4.3电场和功率讲解资料,讲解的还不错,感兴趣的可以下载看看…………………………

    标签: 无线通信

    上传时间: 2021-10-23

    上传用户:1208020161

  • 110kV真空断路器电磁场数值分析.rar

    近年来,人们对环境保护越来越重视,SF<,6>气体的使用和排放受到限制,从而使电器领域内SF<,6>断路器的发展也受到限制。而真空断路器充分利用了真空优异的绝缘与熄弧特性,且对环境不造成污染,所以目前在中压领域已经占据了主导地位,而且不断向高电压、大容量方向发展。因此,未来高压真空断路器必然取代高压SF<,6>断路器。真空灭弧室是真空断路器的“心脏”,所以,开发高压真空断路器最关键的是灭弧室的设计。本文对110kV的真空灭弧室的内部电磁场进行了仿真分析,为我国开发110kV真空断路器提供一定的参考。 本文采用有限元软件对110kV真空断路器灭弧室内部静电场进行了仿真分析,得到了灭弧室内部各种屏蔽罩的大小、尺寸和位置对电场分布的影响;触头距离对灭弧室内部电场分布的影响;伞裙对灭弧室内部电场分布的影响。再根据等离子体和金属蒸气具有一定导电率的特点,从麦克斯韦基本方程出发,推导了灭弧室内部电场所满足的计算方程,然后用有限元法对二维电场进行了求解。考虑到弧后粒子消散过程中,电极和悬浮导体表面会有带电微粒的存在,又计算分析了带电微粒对真空灭弧室电场分布的影响,进而提出了使灭弧室内部电场更加均匀的措施。 根据大电流真空电弧的物理模型,基于磁场对电流的作用力理论,计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应以及对分断电弧的影响,得到了弧柱中自生磁场产生的电磁压强分布,最后分析了外加纵向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用。 建立了110kV、1/2线圈以及1/3线圈纵向磁场触头三维电极模型,并利用有限元法进行了三维静磁场和涡流场仿真。得到了电流在峰值和过零时纵向磁场分别在触头片表面和触头间隙中心平面上的二维和三维分布,给出了这两种触头在电流过零时纵向磁场滞后时间沿径向路径和轴向路径的分布规律,最后还对这两种触头的性能进行了比较。

    标签: 110 kV 真空断路器

    上传时间: 2013-07-09

    上传用户:smthxt

  • 电力电子装置电磁辐射问题的场分析.rar

    随着电力电子技术的迅速发展,电力电子装置正在向着高频化、大容量、小体积的方向发展,其电磁环境也变得更为复杂,随之带来的辐射电磁干扰也日益严重。在电力电子装置设计初期开展电磁兼容数值仿真和预测对解决复杂的电磁干扰问题意义重大。 本文介绍了国内外电力电子装置电磁兼容的研究现状。针对电力电子装置电磁兼容的复杂性,讨论了使用仿真软件进行电力电子装置电磁兼容分析的策略,主要面向电源印制电路板(PCB)、控制箱和变流器机柜全波电磁仿真的具体应用进行了研究。 首先对PCB电源板进行电磁兼容预测。采用软件Protel99SE和CST微波工作室(R)(CST MICROWAVE STUDIO(R),简称CST MWS(R))相结合进行分析,得到.PCB板的表面电流和电场分布图。根据分布图,分析电源板的辐射特性,提出提高PCB电磁兼容性的优化设计的设想,在PCB设计过程中加入对PCB电磁兼容性分析的场仿真,使PCB的电磁兼容分析有一个直观的参照物,有助于指导PCB的布局布线,对PCB优化设计,提高产品性能有重要作用。根据仿真结果将PCB电源板近似等效成电偶极子模型。 其次应用CST MICROSTRIPESTM软件计算控制箱的屏蔽效能,并在控制箱插入PCB电源板后进行辐射特性分析。 最后应用全波电磁仿真软件CST MWS(R)对变流器机柜进行电磁辐射干扰瞬态仿真,分析过程中考虑到了IGBT的开关尖峰、线缆和易产生干扰的电子元器件以及整个机箱机柜。运用线性网络理论对仿真结果进行标定,由此提出改进措施—采用unit cell和微扰理论设计屏蔽网,有效地抑制了电磁辐射。

    标签: 电力电子装置 电磁辐射

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:标点符号

  • 电场对电力系统稳定性的影响.rar

    由于日趋严重的环境问题以及风能利用的成本低廉和技术成熟等原因,风力发电成为电力系统中相对增长最快的新能源发电技术,发展风电成为改善电力系统经济运行极为重要的措施。近几年,风力发电机组单机容量和风电场建设规模都日益扩大,但风力的随机性和间歇性会对电力系统稳定运行产生一定的影响。因此对于含有风电场的电力系统,需要建立正确的风电场数学模型和进行风电场的短期风速预测。 首先,运用时间序列和神经网络相结合的预测方法,对风电场的风速序列进行短期预测。该方法用时间序列模型来选择神经网络的输入变量,而神经网络分别运用了BP和GRNN神经网络进行比较,发现使用时间序列结合GRNN网络预测效果比较令人满意,其对风电场和电力系统的稳定性运行具有重要的意义。 其次,建立了风速、风电机组和风电场的数学模型。风电机组的数学模型主要包括风力机模型、传动机构模型和异步发电机模型,仿真分析了风电机组对于风速的响应。在风电场模型研究中,考虑了尾流效应因素,风电场中各台风机位置处的风速并不相同,因此研究了风能分布的Jensen模型和Lissaman模型,并进行了案例计算分析,结果表明了风能分布模型在大规模风电场模型分析中的重要性。本文还提出了风电场等值模型的建立,降低了仿真研究的复杂性,使得分析大规模风电场并网运行成为可能。 最后,实现了包含风电场的电力系统潮流计算,采用牛顿—拉夫逊法极坐标形式的方法,为研究风电场稳定性运行提供了前提条件。同时提出了基于电力系统暂态稳定性分析的风电场穿透功率极限计算方法,并揭示了频率波动对风电场稳定运行的影响。

    标签: 电场 电力系统 稳定性

    上传时间: 2013-07-31

    上传用户:zhengxueliang

  • 基于FPGA的多路脉冲时序控制电路设计与实现.rar

    在团簇与激光相互作用的研究中和在团簇与加速器离子束的碰撞研究中,需要对加速器束流或者激光束进行脉冲化与时序同步,同时用于测量作用产物的探测系统如飞行时间谱仪(TOF)等要求各加速电场的控制具有一定的时序匹配。在整个实验中,需要用到符合要求的多路脉冲时序信号控制器,而且要求各脉冲序列的周期、占空比、重复频率等方便可调。为此,本论文基于FPGA设计完成了一款多路脉冲时序控制电路。 本文基于Altera公司的Cyclone系列FPGA芯片EPlC3T100C8,设计出了一款可以同时输出8路脉冲序列、各脉冲序列之间具有可调高精度延迟、可调脉冲宽度及占空比等。论文讨论了FPGA芯片结构及开发流程,着重讨论了较高频率脉冲电路的可编程实现方法,以及如何利用VHDL语言实现硬件电路软件化设计的技巧与方法,给出了整个系统设计的原理与实现。讨论了高精密电源的PWM技术原理及实现,并由此设计了FPGA所需电源系统。给出了配置电路设计、数据通信及接口电路的实现。开发了上层控制软件来控制各路脉冲时序及属性。 该电路工作频率200MHz,输出脉冲最小宽度可达到10ns,最大宽度可达到us甚至ms量级。可以同时提供l路同步脉冲和7路脉冲,并且7路脉冲相对于同步脉冲的延迟时间可调,调节步长为5ns。

    标签: FPGA 多路 脉冲

    上传时间: 2013-06-15

    上传用户:ZJX5201314

  • 基于ARM技术的三相正弦波信号发生器

    随着我国电力行业的飞速发展,安全五防工作的重要性日益突显。为此我国大部分省市电力部门均要求高压带电设备必须配装安全五防装置——即高压带电显示装置。感应式高压带电显示闭锁装置由于其非接触式传感特性和相间处理无干扰的优点成为行业首选,而三相正弦波信号发生器则是感应式高压带电显示闭锁装置主要电气性能保证的关键。 本文研究基于感应式高压带电显示闭锁装置所感应的高压带电体电场信号,并依据感应式高压带电显示闭锁装置的电气性能行业标准制定了该信号发生器的性能指标。设计的三相正弦波信号发生器在硬件架构上以ARM7微处理器为核心,符合16C550工业标准的异步串行口UART0与PC机通信,便于信号输出和数据保存,为满足感应式高压带电显示闭锁装置在复杂环境运行的数据分析和智能决策提供了平台。现场数据的实时采集、保存和分析功能,将对感应式高压带电显示闭锁装置的智能化起到关键作用。

    标签: ARM 三相 正弦波信号 发生器

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:lht618

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

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  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

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