电场强度
共 11 篇文章
电场强度 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 11 篇文章，持续更新中。
喇叭共振和预防研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于喇叭的共振原理，提高扬声器的发声强度并尽可能的降低因振动而消耗的能量，从而提高喇叭的效率。依照理论计算数据作为后续试验基础，通过多组试验对比，分别对
指纹图像分割与增强算法的研究
<span id="LbZY">在研究和分析指纹图像的强度场和方向场原理基础上，根据人眼的视觉原理，提出一种指纹图像分割与增强的方法。按照指纹图像前景色梯度大，背景色梯度小，可以将指纹前景色很好的分割出来。并且通过纹线方向进行滤波增强处理，可以得到良好的效果。对随机抽取的指纹图像分割和增强的实验证明，取得了满意的结果。此方法的优点是将指纹纹线断裂处很好的连接，可以广泛应用于指纹图像的预处理过程当中
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
石英晶体振荡器性能参数测试系统研究
<span id="LbZY">文章介绍了石英晶体振荡器的特点及性能参数，由于人工测量繁琐，且容易出错等不足，提出了一种智能测量方法。该方法利用计算机控制技术，实现自动测试石英晶体振荡器的性能参数，并打印测试结果，减少了强度，提高了检测效率。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130H4163615J8.jpg" styl
LC正弦波振荡电路基础知识
<P> LC 正弦波振荡电路</P>
<P> 如果将该电路作为选频网络和正反馈，再加上基本放大电路和稳幅电路就构成LC正弦波振荡电路。</P>
<P> 将电容和电感并联起来，在电容上施加一定电压后可产生零输入响应。这种响应在电容的电场和电感的磁场中交替转换便可形成正弦波振荡。</P>
<P> LC正弦波振荡电路的选频电路由电感和电容构成，可以产生高频振荡(>1MHz)。</P>
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
2012TI电子设计大赛——微弱信号检测装置
微弱信号检测装置<br />
四川理工学院 刘鹏飞、梁天德、曾学明<br />
摘要：<br />
本设计以TI的Launch Pad为核心板，采用锁相放大技术设计并制作了一套微弱信号检测装置，用以检测在强噪声背景下已知频率微弱正弦波信号的幅度值，并在液晶屏上数字显示出所测信号相应的幅度值。实验结果显示其抗干扰能力强，测量精度高。<br />
关键词：强噪声；微弱信号；锁相放大
基于HVS的空域分块数字水印技术
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; "> 数字水印作为一种防护技术，在数字产品的保护认证方面越发显得重要，成为当前计算机领域研究的热点问题之一。提出了一种在空域采用分块重复嵌入水印信息和HVS相结合的水印技术。实验结果说明，分块技术在空域的使用提高
机翼极限环振荡仿真与计算
<span id="LbZY">机翼极限环振荡（LCO）是典型的非线性气动弹性问题，严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点，准确预测极限环的幅值，为机翼的设计提供准确的数据参考，本文综合考虑了气动与结构非线性的影响，提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程；一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/