图是脉冲式充电器电路。图（a）为充电器电路，图（b）为充电器框图，由基准电压、时钟脉冲、充电控制和恒流部分等组成。工作原理简述如下：
上传时间： 2013-04-24
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脉冲波形的产生和整形:介绍矩形脉冲波形的产生和整形电路。 在脉冲整形电路中。介绍了最常用的两类整形电路——施密特触发器和单稳态触发器电路。在本章的最后，讨论了广为应用的555定时器和用它构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的方法。 7.1单稳态触发器 单稳态触发器的工作特性具有如下的显著特点； 第一，它有稳态和暂稳态两个不同的工作状态； 第二，在外界触发脉冲作用下，能从稳态翻转到暂稳态，在暂稳态维持一段时间以后，再自动返问稳态； 第三，暂稳态维持时间的长短取决于电路本身的参数，与触发脉冲的宽度和幅度无关。 由于具备这些特点。单稳态触发器被广泛应用于脉冲整形、延时(产生滞后于触发脉冲的输出脉冲)以及定时(产生固定时间宽度的脉冲信号)等。 7.1.1脉冲波形的主要参数 获取矩形脉冲波形的途径不外乎有两种：一种是利用各种形式的多谐振荡器电路直接产生所需要的矩形脉冲，另一种则是通过各种整形电路把已有的周期性变化波形变换为符合要求的矩形脉冲。当然，在采用整形的方法获取矩形脉冲时，是以能够找到频率和幅度都符合要求的一种已有电压信号为前提的。 在同步时序电路中，作为时钟信号的矩形脉冲控制和协调着整个系统的工作。因此，时钟脉冲的特性直接关系到系统能否正常地工作。为了定量描述矩形脉冲的特性，通常给出图7-1 中所标注的几个主要参数。这些参数是： 脉冲周期 ——周期性重复的脉冲序列中，两个相邻脉冲之间的时间间隔。有时也使用频率 表示单位时间内脉冲重复的次数。
标签： 脉冲波形
上传时间： 2013-10-08
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为了利用级联Blumlein型脉冲形成网络在高阻抗负载产生理想的高压平顶脉冲输出，开展了构成该脉冲功率源关键单元的始端电感和终端电感设计。从充电电压一致性，输出脉冲不发生严重畸变，高的电压叠加效率，可接受的负载预脉冲幅值出发，确定了始端电感和终端电感值的计算方法，利用锰锌铁氧体磁芯的饱和特性设计电感，通过实验开展锰锌铁氧体磁芯参数测试。研究表明锰锌铁氧体饱和和剩余磁感应强度之和约为1.75，饱和磁导率约3.3，非饱和磁导率约1 462，饱和电感值为7.3 mH，非饱和电感值3.2 mH。
上传时间： 2013-10-09
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针对污水处理厂剩余污泥含水率高，达到70%~80%，不利于进一步处理的问题，根据污水成分及其处理工艺特点，提出了一种基于高压脉冲电场技术的污水处理的方法。本文从理论上系统地阐述了高压脉冲电场处理装置的研制，设计了低成本高压脉冲电源，最高电压10 kV，最大电流50 A，并且能方便的调节电场参数。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：taiyang250072
各级Blumlein型脉冲形成网络充电电压的不一致是影响级联脉冲形成网络电压传输效率的因素之一，为了使级联网络的充电电压一致，设计了一种多路充电电源。每路电源由脉冲变压器，IGBT，初级储能电容组成，IGBT的同步触发使得每路电源同时对负载充电。实验结果表明各级网络的充电电压不一致性<0.1%。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：13691535575
介绍了一种可调的高压脉冲发生器,该发生器主要由储能电容器组、氢闸流管、电压调节器、保护电路、高压变压器等部件组成。
上传时间： 2013-12-06
上传用户：stella2015
采用基于Cortex-M3核的微控制器STM32F103CBT6设计了脉冲变极性弧焊控制系统。该系统利用片内的高级定时器实现了快速脉冲切换,以及脉冲频率、起始时间、占空比的大范围调节;利用定时器间的协同工作,完成了光谱触发信号的精确延时。同时实现了运行过程中对系统电压的测量、监控、传输以及参数输入、显示、存储等功能,并简述了软件开发方法。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：苍山观海
ICI7135是4位双积分A/D转换芯片,可以转换输出±20000个数字量,有STB选通控制的BCD码输出,与微机接口十分方便.ICL7135具有精度高(相当于14位A/D转换),价格低的优点.其转换速度与时钟频率相关,每个转换周期均有:自校准(调零),正向积分(被测模拟电压积分),反向积分(基准电压积分)和过零检测四个阶段组成,其中自校准时间为10001个脉冲,正向积分时间为10000个脉冲,反向积分直至电压到零为止(最大不超过20001个脉冲).故设计者可以采用从正向积分开始计数脉冲个数,到反向积分为零时停止计数.将计数的脉冲个数减10000,即得到对应的模拟量.图1给出了ICL7135时序,由图可见,当BUSY变高时开始正向积分,反向积分到零时BUSY变低,所以BUSY可以用于控制计数器的启动/停止.
上传时间： 2013-11-02
上传用户：hebanlian
常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
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为满足能谱分析中多道脉冲幅度分析器A/D转换的要求，设计了一种高速脉冲峰值保持电路。以高速电压比较器LM311、采样/保持芯片LF398作为主要器件，具有幅度判别、波形采样、峰值保持、电荷泄放等功能，结构简单，易于调试。实验表明：对于高速脉冲信号，该电路可以较好地甄别峰值并保持，性能可靠，响应速度快，误差小于1%。
上传时间： 2013-11-17
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