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电压型

  • 6位Flash型超高速ADC的设计

    作为模拟与数字电路的接口电路的关键部分,模数转换器(ADC)现代通信、需达、卢纳以及众多消费电子产品中都占据极其重要的地位。随着科技的迅猛发展,对模数转换器的性能,特别是速度上的要求越来越高,ADC的性能好坏甚至已经成为决定设备性能的关键因素。本文以超高速ADC作为设计的目标,采用了Flash型结构作为研究的方向,并且从ADC的速度和失调电压消除技术入手进行了重点研究。本文采用了种新颖的消除失调电压的技术-chopping技术,该技术主要是依靠 组随机数产生器所产生的高速随机数序列来随机快速置换比较器输入端,从而使得失调电压近似平均为零,本文设计了种高速随机数产生器,可以产生速率达到1GHz的随机数序列。由于比较器部分是影响整个ADC速度的关键因素,因此在设计中对于比较器部分逃行了重点优化设计。另外还在数字编码电路中加入了纠错设计。通过电路仿真,所设计的ADC可达到1GHz的采样速率,最大积分非线性和微分非线性分别为0.42LSB和0.49LSB,当输入信号频率为16.6MHz时,无杂波动态范围(SFDR)达到41dB,当加入50mV失调电压时,chopping技术可以将SFDR增加3dB左右。本设计采用了和舰0.18um CMOS混合信号工艺,完成了主要模块版图的设计工作。关键词 Flash型 ADC;失调电压消除技术:chopping技术

    标签: flash adc

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:d1997wayne

  • 大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究

    自20世纪80年代以来,以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展,使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块化的方向发展,逆变技术日趋大容量化、高性能化,这使得采用大功率逆变电源作为舰船的主要供电电源成为可能。以igBT为主开关件的船大功逆变电源设计中,由于 KBт开关频率、开关速度的提高以及容量的提升(目前3 300 V-1 500 A的 KBT模块已投入实际应用),流经KBT的电流迅速变化,主电路母线的分布电感产生的瞬时电压尖峰会施加在KBT两端,如果处理不当,会使KBT的开关工作轨迹超出器件的SOA(Safe Operation Area安全工作区域),从而对逆变电源的正常运行构成威胁"1.本文对大功率逆变电源KBT关断时产生电压尖峰的机理进行了说明,并对影响关断电压尖峰的主要因素进行了分析。通过应用叠层复合母排降低了主电路母线的分布电感,通过设计合适的吸收电路改善了开关轨迹,从而抑制关断电压尖峰,使大功率逆变电源的开关器件运行在可靠的工作范围内。

    标签: 逆变电源 igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:d1997wayne

  • 基于IGBT的750kVA三相二极管箝位型三电平通用变流模块设计

    IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题,解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路,本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案,并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构,结合特殊设计的吸收电容布局,减小了各IGBT模块的关断过冲,省去阻容吸收电路,并优化了高频电流在不同电容间的分布,抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感,并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器,表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻,采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热,并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔,同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理,并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验,以确保每个器件在安全范围内工作;设计了系统控制和三类系统级保护电路:驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后,在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下,对变流模块进行了测试,并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。

    标签: igbt 二极管

    上传时间: 2022-06-22

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  • 升压型电源管理电路的内部LDO设计

    本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目,在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下,论文采用了一种开关电源与低压降(LDO)线性电压调节器结合应用的集成方案,即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求,本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺,实现LDO的输入电压范围为6-13V:满足在-25-85℃的工作温度范围内,输出电压为5V:在典型负载电流(12.5mA)下,LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理,给出LDO设计的指标要求;其次,依据系统方案的指标要求和制造工艺约束,实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器:此外,文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题:最后,给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分,文章基于对三种不同LDO拓扑的分析,选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络,采用反馈电容,实现对LDO的环路补偿。同时,为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求,文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理,本文通过研究密勒电容的作用,采用MPC(Miller-Path-Compensation)结构,实践了两级放大器驱动大负载电容的方案,并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。

    标签: 电源管理 ldo

    上传时间: 2022-06-22

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  • 一款高性能BUCK型DC-DC和LDO双路输出控制器设计

    本论文以西安电子科技大学电路CAD所的科研项目“电源管理类集成电路关键技术理论研究与设计”为背景,设计了一款高性能降压型DC-DC和LDO双路输出控制器XD8912.论文首先对电源管理技术的现状以及发展趋势作了介绍;随后分析了线性稳压器及开关稳压器的基本结构和工作原理,并对电压模降压型PWM DC-DC的原理及其环路稳定性做了深入的研究;最后详细介绍了XD8912的设计过程,包括芯片性能系统规划、特性分析、电路实现以及仿真验证。XD8912不仅集成了大电流、高效率的电压模降压型PWM控制器,而且也集成了小电流、低噪声的线性稳压控制器,可以为高性能显卡、主板等设备供电。芯片采用同步整流技术,避免了肖特基二极管的使用,大大提高了芯片的工作效率。芯片内部设计了微调电路提高了电压基准的精度。设计了内部频率补偿电路取代芯片外部的补偿电容,有效提高了芯片的集成度。另外,芯片还集成了完备的保护电路,包括过温保护、欠压保护、过流保护等.文中对XD8912的系统及主要功能模块进行了详细的分析,并基于0.6um BCD工艺,利用Viewdraw,Hspice等EDA软件,完成了电路的设计和前仿真验证仿真结果表明,电路功能和性能指标均已达到设计要求。

    标签: 降压型DC-DC LDO 电源管理

    上传时间: 2022-06-23

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  • 基于CPLD的TCD1501D型线阵CCD自适应驱动电路设计

    CCD(电荷耦合器件)的基本功能是将光学图像信号转变成一维以时间为变量的电压信号,广泛的应用于元件尺寸测量以及位置检测系统中。本课题背景是利用CCD检测带材边缘的位置信息,为后续的控制系统提供数据。在带钢轧制现场,光照强度浮动因数很多:例如,光源受污染;给光源供电的电压波动等都会造成光照条件的改变,影响测量的准确性,不利于提高系统的信噪比l。为了提高系统的测量精度和抗干扰性,需要实时改变CCD的光积分时间以补偿现场环境的影响。本文以TCD1501D型CCD芯片为例,分析了芯片的工作过程和驱动芯片的各个信号的要求,阐述了CCD驱动电路自适应的实现,最后给出了系统仿真结果。1TCD1501D型CCD的工作原理和驱动时序的产生1.1TCD1501D芯片的介绍TCDI501D4是一种高灵敏度、低暗电流、5000像元且内置采样保持电路的线阵CCD图像传感器。

    标签: cpld tcd1501d ccd 驱动电路

    上传时间: 2022-06-23

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  • 开关升压型锂电池充电管理芯片FLD5302/3 技术手册

    开关升压型锂电池充电管理芯片FLD5302/3概述 为开关型两节或三节锂离子/锂 聚合物电池充电管理芯片,非常适合于便携 式设备的充电管理应用。 集电压和电 流调节器、预充、充电状态指示和充电截止 适配器自适应等功能于一体,采用 SOP-8 封装。 对电池充电分为三个阶段:预 充( Pre-charge )、恒流(CC/Constant Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程。 集成过压及过流保护,确保电芯的 安全。 

    标签: 锂电池 充电管理

    上传时间: 2022-06-25

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  • 三极管8050NPN型晶体三极管

    三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。也可用作开关电路。类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;8050三极管(SOT-23封装)管脚图最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25; [1] 特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

    标签: 三极管 npn晶体三极管

    上传时间: 2022-07-18

    上传用户:jason_vip1

  • 20KHZ IGBT PWM型高效大功率超声波发生器

    摘要本文论述20KHZPWM(脉冲宽度调制)型大功率超声波发生器的原理和电路组成。PWM信号是由性能优越的TL494集成电路产生,高频逆变器采用国际先进的磁性材料和IGBT功率器件构成。逆变器将输出的高频电压送入超声波换能器,从而辐射出超声波。该系统具有电路简单,工作可靠,体积小,成本低,输出功率调节方便,效率高,实用性强等特点。关键词PWM信号;高频逆变;超声换能器随着科学的发展和技术的进步,超声波在工农业生产、国防建设和人民生活中的应用越来越广,如超声焊接、超声清洗、干燥、雾化、导航、测距、育种等领域的应用日趋广泛。现有的大功率超声波发生器,大都采用大功率电子管或高频可控硅组成。近年来,由于全控制型电子器件和PWM技术的迅速发展[]41,促进了超声波电子系统的进步,我们根据生产的需求,设计制作了这套系统,它具有效率高、性能稳定、体积小、重量轻和使用方便等特点。

    标签: PWM 高频逆变 超声换能器

    上传时间: 2022-07-29

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  • Protool组态图型显示中文手册

    Protool组态图型显示中文手册

    标签: Protool 组态

    上传时间: 2013-06-10

    上传用户:eeworm