深亚微米
共 3 篇文章
深亚微米 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 3 篇文章，持续更新中。
MT-011 找出那些难以琢磨、稍纵即逝的ADC闪码和亚稳状态
数字通信系统设计关注的一个主要问题是误码率(BER)。ADC噪声对系统BER的影响可以分析得出，但前提是该噪声须为高斯噪声。遗憾的是，ADC可能存在非高斯误码，简单分析根本无法预测其对BER的贡献。在数字示波器等仪表应用中，误码率也可能造成问题，尤其是当器件工作于“单发”模式时，或者当器件尝试捕获偶尔出现的瞬变脉冲时。误码可能被误解为瞬变脉冲，从而导致错误的结果。本指南介绍
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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