ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管,因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler 产品不需要外部驱动器和其它分立器件。此外,在信号数据速率相当的情况下,iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔离器提供两个独立的隔离通道,支持多种通道配置和数据速率(请参考数据手册“订购指南”部分)。两款器件均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作,与低压系统兼容,并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。ADuM320x隔离器具有已取得专利的刷新特性,可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 与ADuM120x隔离器相比,ADuM320x隔离器包含多项电路和布局改进,系统级IEC 61000-4-x测试(ESD、突波和浪涌)显示其性能大大增强。对于ADuM120x或ADuM320x产品,这些测试的精度主要取决于用户电路板或模块的设计与布局。 应用 --尺寸至关重要的多通道隔离 --SPI 接口/数据转换器隔离 --RS-232/RS-422/RS-485收发器隔离 --数字现场总线隔离 特性: 增强的系统级ESD保护性能,符合IEC 61000-4-x标准 工作温度最高可达:125℃ 8引脚窄体SOIC封装,符合RoHS标准 技术指标: 高共模瞬变抗扰度:>25 kV/μs 双向通信 - 3 V/5 V 电平转换 - 高数据速率:dc 至 25 Mbps(NRZ)
上传时间: 2013-10-11
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0-50V高精度可程控直流精密电压源
上传时间: 2013-11-22
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目前开关电源市场上单端反激式的开关电源占有很大的份额,控制环路的设计是反激电源中关键的步骤之一。主要对基于L6561临界(TM)模式下高功率因数(PF)单端反激式开关电源的控制环路设计进行了论述,文中通过对环路中各级的传递函数进行了定性分析和定量计算,进而给出了环路的补偿电路。通过选择合适的相位裕量来保证系统的稳定性,并通过图解法验证了该环路可以使系统具有较好的稳定性。
上传时间: 2013-10-14
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电能表专用6kvac高隔离防静电dc/dc电源模块的详细介绍 wrh 电力仪表专用6kvac高隔离防静电系列模块电源,具有输出稳压自恢复过载短路保护及8kv抗静电保护功能。 输入电压 5, 12, 15, 24 vdc 输出电压 3.3, 5, 9, 12, 15 ,18v, 24 vdc 如需其它规格,请咨询顺源科技公司 电气特性 以下数据除特殊说明外,均是在ta=25° c, 标称输入电压, 额定输出电流时测得. 输入特性 电压范围 +/- 5% 滤波 陶瓷电容 隔离特性 额定电压 6000 vac 泄漏电流 1 ma 电阻 109 ohm
上传时间: 2013-10-23
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推荐给大家一个高精度的电流检测芯片希望你们可以用到
上传时间: 2014-01-19
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在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
上传时间: 2013-10-18
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介绍了一款输入级采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的额定输出功率为, 如果提高输出级电源电压, 还可在不变动电路条件下, 把输出功率提高到, 可以满足一些对功率要求比较高的发烧友需要。
上传时间: 2013-11-08
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该系统采用TI 公司专用APFC 整流控制芯片UCC28019 作为控制核心,构成电压外环和电流内环的双环控制,构建了有源功率因数校正(APFC)的高功率因数整流电源。其中,电流内环作用是使网侧交流输入电流跟踪电网电压的波形与相位;电压外环为输出直流电压控制环,外环电压调节器的输出控制内环电流调节器的增益,使输出直流电压稳定。系统采用ATmega16单片机进行监控,完成输出电压的可调以及相关测量参数显示功能,系统通过ATmega16单片机以及其外围器件实现系统功率因数、输出电压、电流的实时测量、人机交互、输出过流保护等功能。实际测试表明,采用UCC28019作为本系统的APFC芯片完全达到或超过题目要求的所有指标。关键词:APFC,UCC28019,过流保护,功率因数
上传时间: 2013-10-14
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超低漏失线性稳压器的技术关键,是基准源模块的设计,在对双极型LDO稳压器进行分析的基础上,提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。
上传时间: 2013-12-07
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摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准电压实现方法.关键词:带隙基准电压源;电源抑制比;温度系数
上传时间: 2013-11-19
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