为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有 间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV；价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析 其光学性质，发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓 慢降低；材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×105cm-1；MoS2在能量为18.33eV 位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了 该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对 MoS2材料的进一步研究提供理论参考。
上传时间： 2020-11-08
上传用户：
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
上传用户：
数学资料，范函分析，对各方面的研究都有帮助，是编成的基础。
标签：
上传时间： 2015-11-26
上传用户：362279997
数学资料，范函分析，对各方面的研究都有帮助，是编成的基础。
标签：
上传时间： 2014-07-04
上传用户：Breathe0125
ogura(小仓)老师在京都大学讲授波散射的资料，从基尔霍夫近似到微扰法，最后提到了他的随机泛函的方法，小仓老师是随即泛函用于博散射的鼻祖，电磁界的知名人士。
上传时间： 2014-01-16
上传用户：libenshu01
这本书就是著名的沃塞曼编写的《统计学完全教程》，它的特点是覆盖全面、实用性强，除常规内容还包括Bootstrap方法、有向图DAGs估计、Wald检验、Delta方法、统计泛函估计等。
上传时间： 2017-06-01
上传用户：hxy200501
MATLAB常用函数，包括图形、图像、泛函、方程等内容
上传时间： 2017-08-18
上传用户：古谷仁美
该类方法主要指的是活动轮廓模型（active contour model）以及在其基础上发展出来的算法，其基本思想是使用连续曲线来表达目标边缘，并定义一个能量泛函使得其自变量包括边缘曲线，因此分割过程就转变为求解能量泛函的最小值的过程，一般可通过求解函数对应的欧拉(Euler．Lagrange)方程来实现，能量达到最小时的曲线位置就是目标的轮廓所在。
标签： 图像处理
上传时间： 2016-03-07
上传用户：2009dd
资料涉及第一性原理密度泛函理论简介，CPU-MPI和GPU-CUDA异构并行计算和第一性原理功能材料设计和计算模拟
标签： cpu
上传时间： 2021-12-17
上传用户：
Ansoft HFSS软件是应用有限元方法的原理来编制的，深入的了解有限元方法的理论基础，及其在电磁场与微波技术领域的应用原理，对于我们灵活、准确地使用Ansoft HFSS软件来解决实际工程问题能够提供帮助。这一部分教材的内容就是在结合 Ansoft HFSS软件中涉及到的有限元技术，力争在最小的篇幅和最短的时间里为学员建立理论结合实际的有限元方法的基本概念。有限元方法是近似求解数理边值问题的一种数值技术，大约有40年的历史。他首先在本世纪40年代被提出在50年用于飞机的设计。在六七十年代被引进到电磁场问题的求解中。电磁场的边值问题和很多的物理系统中的数学模型中的边值问题一样，都可以用区域Ω内的控制微分方程（电磁场问题中可以是泊松方程、标量波动方程和矢量波动方程等）和包围区域的边界厂上的边界条件（可以是第一类的 Dirichlet条件和第二类的 NEumann条件或者是阻抗和辐射边界条件等）来定义。微分方程可表为从上一小节的内容我们可以看到电磁场边值问题变分解法的这样的两个特点：（1）变分问题已经将原来电磁场边值问题的严格求解变为求解在泛函意思下的弱解，这个解可以和原来的解式不一样的。（2）在电磁场边值问题的变分方法中，展开函数（也可成为试探函数）是由定义在全域上的一组基函数组成，这种组合必须能够表示真实解，也必须满足适当的边界条件，这对于二维、三维问题是非常困难的。
标签： Ansoft
上传时间： 2022-03-12
上传用户：qdxqdxqdxqdx
