沟道
共 54 篇文章
沟道 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 54 篇文章，持续更新中。
采用双N沟道MOSFET设计低压马达驱动
基于双N沟道MOSFET设计的低压马达驱动电路，采用电荷泵方案实现高效控制，适用于低电压电机应用，具备良好的开关性能和稳定性。
µPD3719线阵CCD驱动说明
µPD3719为双沟道彩色（R，G，B）线阵CCD器件，像原数为10600。它具有灵敏度高、暗电流低等特点。我公司设计的µPD3719驱动器使它工作在稳定的积分时间状态下，使它能够精确地完成光电转换工作。
CEP6060数据手册
CEP6060英文数据手册，CEP6060是N沟道增强型场效应管
2SK1307
2SK1307英文数据手册，2SK1307是N沟道MOSFET
基于FPGA温控系统的CF-PCR-CE芯片研究
DNA样品进行毛细管电泳分离之前需要进行PCR扩增反应，如果将连续流动式PCR芯片与毛细管电泳芯片集成在一起，将会实现生化分析的微型化和集成化。因此，本文开展了基于FPGA的循环数目可选的连续流动式PCR芯片设计，并将其与毛细管电泳微流控芯片相组合，实现了从PCR扩增到毛细管电泳的连续一体化分析。
本文首先采用ANSYS有限元分析软件，设计出性能较好的加热器和温度传感器版图结构；利用MEM
MAX4846中文资料,pdf datasheet (过压保护控制器)
<P>MAX4843–MAX4846过压保护控制器可在高达28V的高压故障条件下为低压系统提供保护。当输入电压超出过压门限时，器件会断开外部低成本的n沟道FET，使受保护元件免于损坏。内部电荷泵无需外
高速高精度线阵CCD-TCD141C
TCD141C是日本东芝公司生产的5000位象元二相线阵CCD 器件,由于在工艺中采用了埋层沟道和加速电极结构,其工作频率可 20MHz ,象元及相邻象元中心间距已减小到 7 μm ,实现了高分辨和高
场效应管工作原理
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
基于单片机和FPGA的CFPCR芯片系统研究
聚合酶链式反应(PCR)技术是一种基因片段体外扩增技术，在生物及医学相关领域中得到广泛的应用。目前，绝大部分PCR扩增反应是在传统的商业PCR仪上进行的，由于采用热容较大的金属块进行热循环温度控制，升温和降温的速度较慢，一个完整的PCR循环通常需要1h～2h，甚至更长的时间。另外，微流控检测系统中的毛细管电泳分析已经能够在体积较小的芯片上完成，如果将连续流动式PCR芯片(CF-PCR)与其集成在一
MAX4843/MAX4844/MAX4845中文资料,pdf datasheet
<P>MAX4843–MAX4846过压保护控制器可在高达28V的高压故障条件下为低压系统提供保护。当输入电压超出过压门限时，器件会断开外部低成本的n沟道FET，使受保护元件免于损坏。内部电荷泵无需外
SUPREM-III进行集成电路离子注入的工艺模拟
随着集成电路工艺的不断发展，工艺模拟软件功能也在不断的改善，但不足之处也不<BR>断暴露出来，工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。所以在工艺模拟中有必要建立一个模型，本文以离子注入工艺为例,研究沟道效
analog IC design with low dropout regulator
经典模拟电路设计教程，着眼于mos器件物理与工艺，短沟道效应与模型，单级和差动放大器与电流镜
常用场效应管参数表
型号厂家用途构造沟道方式 v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixing<BR>IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB<BR>IRF024 IR N 60 17
基于单片机和FPGA的CFPCR芯片系统研究.rar
聚合酶链式反应(PCR)技术是一种基因片段体外扩增技术，在生物及医学相关领域中得到广泛的应用。目前，绝大部分PCR扩增反应是在传统的商业PCR仪上进行的，由于采用热容较大的金属块进行热循环温度控制，升温和降温的速度较慢，一个完整的PCR循环通常需要1h～2h，甚至更长的时间。另外，微流控检测系统中的毛细管电泳分析已经能够在体积较小的芯片上完成，如果将连续流动式PCR芯片(CF-PCR)与其集成在一
基于FPGA温控系统的CFPCRCE芯片研究.rar
DNA样品进行毛细管电泳分离之前需要进行PCR扩增反应，如果将连续流动式PCR芯片与毛细管电泳芯片集成在一起，将会实现生化分析的微型化和集成化。因此，本文开展了基于FPGA的循环数目可选的连续流动式PCR芯片设计，并将其与毛细管电泳微流控芯片相组合，实现了从PCR扩增到毛细管电泳的连续一体化分析。 本文首先采用ANSYS有限元分析软件，设计出性能较好的加热器和温度传感器版图结构；利用MEMS加工技
基于ARM和CAN总线的电缆沟道监测系统设计
本文设计了一种基于ARM7的电力电缆沟道监测系统，该监测系统能够对电缆沟道起到防盗、防火、防潮等安全监测作用。本课题采用的嵌入式硬件是基于ARM7架构的LPC2292芯片；同时针对市场上种类繁多的实时操作系统，本课题选用的是内核小，易剪裁，移植性好源代码公开的实时操作系统μC/OS-II并且使用CAN总线进行数据传输。CAN总线是现场总线的一种，它能有效地支持分布式控制或实时控制，具有高性能和高可
IRF640 datasheet
IRF640英文数据手册，IRF640是N沟道场效应管
高速、低端栅极驱动器资料
FAN3000 系列低端栅极驱动器可提供无与伦比的更高性能、更小尺寸以及更多输入选项的组合，以驱动N沟道功率 MOSFET 和 IGBT。40 种不同的 IC 在单通道或双通道应用中提供 2A、4A 或 9A 多种电流额定值选择。这些驱动器还可提供快速开关和精确定时，以便在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。
基于IR2110的全桥正弦逆变
摘要本文将介绍一个全桥逆变器，其基本电路结构是由四个N沟道的MOS管和专门的MOS管驱动芯片IR2110组成的全桥电路。由于H桥电路属于高压大电流所以本文通过光耦实现对控制电路的隔离。通过单片机产生的PWM开关信号来控制H桥的上管，产生的SPWM调制信号来控制H桥的下管，然后通过LC滤波来实现DC到AC的转化。为了有稳定的正弦波输出本文还采用了电压反馈
MG4953_双P沟道场效应管
MG4953_双P沟道场效应管数据手册，英文版的，谷歌下载的