沟道式公厕节水控制器仿真
很实用的...
沟道增强技术资料
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沟道增强技术是现代半导体器件设计中的关键，通过优化晶体管的电荷传输性能，显著提升集成电路的速度与效率。广泛应用于高性能计算、移动通信及物联网设备等领域。掌握此技术对于电子工程师而言至关重要，不仅能够深化对先进制程的理解，还能在实际项目中实现更优的设计方案。本站汇集了1429份精选资源，涵盖理论研究到实践案例，助您快速成为该领域的专家。
🔥 沟道增强热门资料
查看全部1429个资源 »AO3403 P沟道增强型场效应晶体管
AO3403...
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等...
先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和...
国产MOS预驱动芯片EG3013 手册
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出外围...
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