基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作...
沟道增强技术资料
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沟道增强技术是现代半导体器件设计中的关键，通过优化晶体管的电荷传输性能，显著提升集成电路的速度与效率。广泛应用于高性能计算、移动通信及物联网设备等领域。掌握此技术对于电子工程师而言至关重要，不仅能够深化对先进制程的理解，还能在实际项目中实现更优的设计方案。本站汇集了1429份精选资源，涵盖理论研究到实践案例，助您快速成为该领域的专家。
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本文结合飞思卡尔智能车比赛，基于N沟道MOS管设计H桥电机驱动电路，给出一种利用PWM脉宽调制的方式对直流电机进行速度调控。给出用于驱动MOS管的电压泵设计电路以及PCB板制作需要注意的相关问题。...
MOS开关管参数手册
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC,...
更改ADM1073的电流限值
ADM1073 –48 V热插拔控制器，可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压，精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预...
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相...
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