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氮化镓功率器件 的查询结果
技术资料 级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
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技术资料 105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图 PFC
105W PFC+QR 氮化镓PD快充原理图
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技术资料 60W氮化镓 PD充电器工程文件
基于氮化镓MOS的高效PD协议智能充电器,超小体积超高效率,用于手机、pad、笔记本电脑的充电。
技术资料 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的
市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ,其 中 结 型 栅 结 构 (p 型 栅 )和 共 源 共 栅 级 联 结 ...
技术资料 砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路.pdf
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技术资料 半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN SiC)材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需 ...
技术资料 你一定需要!2019最新门极驱动选型指南
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度,缩短开发时间,节省用料(BOM)及电路板空间,相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案,可提高方案的可靠度。每一个功率 ...
电源技术 开关功率器件的测试示波器
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