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采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
根据电力系统特征分析法，分析了系统励磁运行方式变化对多机系统阻尼的影响，透过各种因素对系统阻尼特性影响的分析，对低频振荡产生机理有了进一步的理解．从而有助于采取必要的预防措旌。
研究了两个分回路中电路参数即电容和电感的不同对有阻尼的介观耦合电路中量子涨落的影响。计算中考虑了电阻产生的物理机制即电子与声子的相互作用。两个分回路电路参数的不同会使一个分回路中的量子涨落减小，
介绍一种用锑化铟—铟( InSb2In) 共晶体薄膜磁敏电阻(MR) 制成的齿轮转速传感器( GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为95μV , 磁敏电阻器与齿轮的距
高压厚膜片式固定电阻器THICK FILM HIGH-VOLTAGE CHIP RESISTORS■ 特长 Features●体积小、重量轻。 ·Miniature and l
薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案. 只有内部端接不包含银或铜质材料的片状电阻器，或者那些内部端接由硫无法渗透的中间层加以保护的片状电阻器，才能够完全不受硫污染的影响。市场上存在具有竞争力的基于厚膜的解决方案，它们有一定防硫效果，但仍不能完全...