此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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CS1237 电子称重专用ADC转换器电路设计转换模块原理图及gerber
上传时间： 2022-07-19
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标签： 数据采集器
上传时间： 2022-07-27
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LM2576 DC-DC降压型电源转换器设计，固定输出5V或12V电路图及PCB尺寸
上传时间： 2022-07-27
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