模型参数

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模型参数 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 126 篇文章,持续更新中。

基于FPGA的DDC中CIC滤波器的设计

<span id="LbZY">文中基于多速率数字信号处理原理,设计了用于数字下变频技术的CIC抽取滤波器。通过分析CIC滤波器的原理及性能参数,利用MATLAB设计了符合系统要求的CIC滤波器,并通过FPGA实现了CIC滤波器的设计。</span><br /> <br />

正弦波信号参数分析仪_黄智强

信号类分析

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

MOS管的资料

一种基于卡尔曼滤波的船载伺服系统随机误差处理方法

<span id="LbZY">针对测量船伺服系统存在随机误差的情况,为提高角误差的精度,基于著名的Singer模型建立了航天测量船伺服系统卡尔曼滤波算法,并通过计算机进行了实际测量数据的仿真实验。从实验仿真结果分析可看出,采用提出的算法,能够较大程度的减小角误差电压含有的随机误差,验证了本方法的有效性,达到了提高测量船测控精度的目的。<br /> <img alt="" src="http://

低功耗高速跟随器的设计

提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能

滤波器的参数

<P>滤波器的概述,滤波器的种类,滤波器的原理介绍,滤波器的主要参数说明.</P> <P><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/2008831056537948.jpg" border=0></P>

多反馈滤波器学习笔记

<div> 多反馈滤波器是一种流行的滤波器结构,以运算放大器作为积分器,如图1所示。因而,其传递函数对运算放大器参数的依赖度高于Sallen-Key设计。

虚拟实现技术在典型差动放大电路特性分析中的应用

介绍了差动放大电路演变历程,理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式:应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究,并对实验现象进行了分析。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032G543209B.jpg" /><br />

使用LTC运算放大器宏模型

<p> &nbsp;</p> <div> This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory.

液压传动系统设计与计算

<p> 液压系统设计的步骤大致如下:<br /> 1.明确设计要求,进行工况分析。<br /> 2.初定液压系统的主要参数。<br /> 3.拟定液压系统原理图。<br /> 4.计算和选择液压元件。<br /> 5.估算液压系统性能。<br /> 6.绘制工作图和编写技术文件。<br /> 根据液压系统的具体内容,上述设计步骤可能会有所不同,下面对各步骤的具体内容进行介绍。</p

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

第5章 放大电路的频率响应

§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6

整流滤波电容的设计与选用方法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波

实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算<BR>方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义.

大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的,采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发,分析了uC与时间常数之间的关系,给出了几种Multis

一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法

为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实