通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：DE2542
PCB线宽和电流关系公式 先计算Track的截面积，大部分PCB的铜箔厚度为35um（即 1oz）它乘上线宽就是截面积，注意换算成平方毫米。 有一个电流密度经验值，为15~25安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。 I=KT（0.44）A（0.75）， 括号里面是指数， K为修正系数，一般覆铜线在内层时取0.024，在外层时取0.048 T为最大温升，单位为摄氏度（铜的熔点是1060℃） A为覆铜截面积，单位为square mil. I为容许的最大电流，单位为安培。 一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A ， 250mil=6.35mm 8.3A ？倍数关系，与公式不符 ？
上传时间： 2013-10-11
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这里仅讨论电容及电感值的选取。种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF电路的经验,这里不再讨论。从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足。显然,在任何角频率下,这在工程上是作不到的。电容量究竟取多大是合理的呢？图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电容)和旁路电容的使用简化
上传时间： 2013-11-12
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在RC桥式正弦波振荡电路的研究中，一般文献只给出电路的振荡条件、起振条件、振荡频率等技术指标，而不涉及电路输出幅值的大小。本文通过理论分析、Multisim仿真实验测试，研究了决定电路输出幅值的因素，即输出电压的幅值与电路起振时电压放大倍数的大小有关，在电路的线性工作范围内，起振时电压放大倍数比3大得越多，最后的稳定输出电压幅值也越大。研究结论有利于系统地研究振荡电路的构成及电路元件参数的选择。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：潜水的三贡
常用颜色的RGB值
标签： RGB
上传时间： 2013-10-15
上传用户：guanhuihong
在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上，以J.B.Gajewski教授的成果为基础，对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容，对其建立的静电传感器数学模型中的感应电极与屏蔽罩间电容值进行探讨，并得到了这个电容的计算式。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：erkuizhang
电流(或电压)的平均值与有效值
上传时间： 2013-11-16
上传用户：yanming8525826
进入90年代以来，各种单片真有效值／直巍(TRMS／PC)转换器正在国内外迅速推广应用，构成具有高性价比的各种真有效值仪表。本文重点介绍AD6 37的工作原理与典型应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：asdfasdfd
线性卷积和线性相关的FFT算法：一 实验目的 1：掌握FFT基2时间（或基2频率）抽选法，理解其提高减少乘法运算次数提高运算速度的原理。 2：掌握FFT圆周卷积实现线性卷积的原理 二 实验内容及要求 1.对N=2048或4096点的离散时间信号x(n)，试用Matlab语言编程分别以DFT和FFT计算N个频率样值X(k), 比较两者所用时间的大小。 2.对N/2点长的x(n)和N/2点长的h(n)，试用Matlab语言编程实现以圆周卷积代替线性卷积，并比较圆周卷积法和直接计算线性卷积两者的运算速度。 三预做实验 1.FFT与DFT计算时间的比较 （1）FFT提高运算速度的原理 （2）实验数据与结论 2.圆周卷积代替线性卷积的有效性实验 （1）圆周卷积代替线性卷积的原理 （2）实验数据和结论 FFT提高运算速度的原理 FFT算法将长序列的DFT分解为短序列的DFT。N点的DFT先分解为2个N/2点的DFT，每个N/2点的DFT又分解为N/4点的DFT，等等。最小变换的点数即所谓的“基数”。因此，基数为2的FFT算法的最小变换（或称蝶型）是2点的DFT。一般地，对N点FFT，对应于N个输入样值，有N个频域样值与之对应。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：erkuizhang
由热电偶的测温原理可知，热电偶产生的热电势与热端（又称测量端）、参比端（又称冷端）的热电势有关，只有参比端温度t1 为零或恒定不变，热电势才是热端温度的单值函数（见图1）。如果不补偿的话，则热电偶的参比端温度与仪表接线端温度t2间的温差t1-t2越大，测量误差也越大。由于大多数热电偶的热电势与温度的关系近似线性，所以造成的测量误差大致等于上述温差。以K 分度号的镍铬-镍硅热电偶为例，当t1=50℃，t2=20℃时，如热端温度为1000℃，则显示温度仅969℃，误差达31℃。
上传时间： 2013-10-15
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