机理
共 5 篇文章
机理 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 5 篇文章，持续更新中。
基于EEMD的故障微弱信号特征提取研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">总体平均经验模式分解（EEMD）方法是一种先进的时频分析方法，非常适合于对非平稳故障微弱信号的分析处理。文中介绍了EEMD方法的原理与算法实现步骤，重点
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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