晶体管
共 22 篇文章
晶体管 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 22 篇文章，持续更新中。
高频三极管
更高效率的选用高频晶体管，在高频设计时如何选择看后一目了然，不但可以节约时间，还有设计方法中管子型号的推荐！
2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
晶体管及其放大电路
晶体管及其放大电路
基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
第5章 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实
5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计
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采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12
基于ATF54143平衡式低噪声放大器的设计
基于低噪声放大器（LNA）的噪声系数和驻波比之间的矛盾，本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论，然后通过安捷伦公司的ADS仿真软件进行电路仿真，仿真结果满足设计要求，达到了低噪声系数和良好地驻波比要求。此文也为后面电路的设计和调试提供
场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
晶体管电路设计(上)
晶体管电路设计(上).pdf
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
针对高速应用的电流回授运算放大器
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围
小信号高频晶体管放大器
小信号高频晶体管放大器