晶体管选型

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晶体管选型 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 28 篇文章,持续更新中。

高频三极管

更高效率的选用高频晶体管,在高频设计时如何选择看后一目了然,不但可以节约时间,还有设计方法中管子型号的推荐!

TI运放选型

TI运放选型

2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体

快恢复二极管选型

电子发烧友网为大家提供了快恢复二极管选型。

晶体管代换手册下载

<P>为使本书成为国内目前<BR>  最新、最全、最适用的晶体管<BR>  代换手册,编者根据国内外<BR>  出版的最新资料,在1992年<BR>  最新增订版的基础上,又增<BR>  加了数千种日本晶体管和数<BR>  千种欧州晶体管型号及其代<BR>  换的国内外型号,并且,还介<BR>  绍了美国1985年以前生产<BR>  的3N型场效应管及其代换<BR>  型号。<BR>  本手册介绍

晶体管及其放大电路

晶体管及其放大电路

基于ADS高效率微波功率放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件,选取合适的静态直流工作点,采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性,并通过设计和优化得到最佳的共轭匹

基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计

<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电路采用三级级联放大结构形式,并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB,噪声小于1.5

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

第5章 放大电路的频率响应

§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应

第08讲 晶体管放大电路的三种接法

模电

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实

5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

<p> 采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动&lt;0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12

基于ATF54143平衡式低噪声放大器的设计

基于低噪声放大器(LNA)的噪声系数和驻波比之间的矛盾,本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分:3 dB 90&deg;相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论,然后通过安捷伦公司的ADS仿真软件进行电路仿真,仿真结果满足设计要求,达到了低噪声系数和良好地驻波比要求。此文也为后面电路的设计和调试提供

第14讲 频率响应概述与晶体管的高频等效电路

模电

场效应晶体管放大电路的动态分析

<P>  场效应晶体管放大电路的动态分析</P> <P>  共源组态基本放大电路的动态分析</P> <P>  共漏组态基本放大电路的动态分析</P>

200mV~10V/0-24V电平单输入单输出模拟信号隔离变送器

转速传感器信号隔离变送器,正弦波整形 主要特性: &gt;&gt; 转速传感器信号直接输入,整形调理方波信号 &gt;&gt; 200mV峰值微弱信号的放大与整形 &gt;&gt; 正弦波、锯齿波信号输入,方波信号输出 &gt;&gt; 不改变原波形频率,响应速度快 &gt;&gt; 电源、信号:输入/输出 3000VDC三隔离 &gt;&gt; 供电电源:5V、12V、15V或24V直流单电源供

VISHAY ESTA功率电容选型指导

VISHAY ESTA功率电容选型指导.<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120320142409338.jpg" style="width: 227px; height: 181px" />

超快恢复二极管选型

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