FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性
FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性,并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年,同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性,开销和系统级别可靠性问题。...
FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性,并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年,同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性,开销和系统级别可靠性问题。...
VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器 内核可以提供高达 4O MIPS的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容。...
fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及...
Suppose a circuit design requires the sprinkling of a significant number of control potentiometer...
Microcontrollers which incorporates battery–backed,nonvolatile SRAM (NV RAM) have found wide acc...