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查看全部 500 份 →开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供...
2013-11-14
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基于DSP的嵌入式介损测量装置的实现
·摘要： 电力系统频率偏离50Hz时,常规的傅立叶变换用于频谱分析时易产生频谱泄露和栅栏效应,使介损角计算产生误差.加Hanning插值的谐波分析法通过加窗和插值能有效减轻频率偏离50Hz时的频谱泄露和栅栏效应,但在数字信号处理...
2024-06-10
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