图1是最经典的电路，优点是可以在电阻R5上并联滤波电容.电阻匹配关系为R1=R2，R4=R5=2R3；可以通过更改R5来调节增益当Ui>O时，分析各点电压正负关系可知D1截止，D2导通，R1，R2和A1构成了反向比例运算器，增益为-1，R4，R3，R5和A2构成了反向求和电路，通过R4的支路的增益为-1，通过R3支路的增益为2，等效框图如下：当Ui<0时，分析各点电压的正负关系可知，D1导通，D2截止，A1的作用导致R2左端电压钳位在0V，A2的反馈导致R3右端电压钳位在0V，所以R2、R3支路两端电位相等，无电流通过，R4，R5和A2构成反向比例运算器，增益为-1，输入阻抗仍为R1R4。因此，此电路的输出等于输入的绝对值。此电路的优点：输入阻抗恒等于R1IR4，输入阻抗低，调节R5可调节此电路的增益大小，在R5上并联电容可实现滤波功能。此电路适用低频电路，当频率大时，输出电压产生偏移，且输入电压接近0V时，输出电压失真，二极管的选型也非常重要，需选导通压降大些的。输入信号小时，也会影响最终输出。
标签： 精密整流电路
上传时间： 2022-06-25
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由于多绕组移相整流变压器的二次线圈互相存在一个相位差，实现了输入多重化，由此可以消除变频器各单元产生的谐波对电网的污染，是高压变频器成为“绿色”电力电子产品的重要组成部分。本文以高压变频器中多绕组移相整流变压器为主要研究对象，进入了深入的研究，主要包括以下几方面：1、对移相整流变压器的研究现状和发展趋势作了较为全面的综述，介绍了移相整流变压器在高压变频器中的作用。2、分析了多绕组移相整流变压器的移相原理。研究了多绕组移相整流变压器励磁涌流产生的原因、后果及如何解决。3、分析了ZTSG-530/6移相整流变压器的主要参数计算、结构设计。用Visual C++编程语言开发了多绕组移相整流变压器的电磁设计软件。4、对多绕组移相整流变压器的电磁场进行了详细的分析，运用电磁场有限元分析软件Maxwll3D对ZTSG-530/6移相整流变压器样机的瞬态磁场进行分析。5、根据设计，研制出样机并试验，得出试验数据，并对比分析了电磁设计软件的计算结果、试验结果和有限元分析结果，验证了所设计样机数据的合理性。
标签： 整流变压器
上传时间： 2022-06-25
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近年来，随着电子技术的快速发展，使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率，但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式，在低压、大电流输出的电路中，应用传统二极管整流的电路，其整流的损耗比较大，工作效率比较低。一般普通二极管的压降为1.0-1.3V，即便应用压降较低的肖特基二极管（SBD），产生压降一般也要有0.5V左右，从而使整流的损耗增加，电源的工作效率降低，己经不能满足现代开关电源高性能的需求。因此，应用同步整流（SR）技术可达到此要求，即应用功率MOS管代替传统的二极管整流。由于功率MOS管具有导通电阻很低、开关时间较短、输入阻抗很高的特点，很大程度的减少了开关功率MOS管整流时的损耗，使得工作效率有一个显著提高，因此功率MOS管以成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。要想得到经济、高效的变换器，同步整流技术与反激变换器电路结合将会是一个很好的选择。反激变换器拓扑电路的优点是电路结构简单、输入与输出电气隔离、输入、输出工作电压范围较宽，可以实现多路的输出，因而在高电压、低电流的场合应用广泛，特别是在5~200W电源中一般采用反激变换器。
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-25
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基于MATLAB的三相电压型PWM整流系统仿真
上传时间： 2022-06-25
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桥式整流电路及工作原理详解
标签： 桥式整流电路
上传时间： 2022-06-25
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当山>0时，必然使集成运放的输出uo<0，从而导致二极管D2导通，D1截止，电路实现反相比例运算，输出电压当u<0时，必然使集成运放的输出uo>0，从而导致二极管D1导通D2截止，R+中电流为零，因此输出电压uo=0。u和uo的波形如图（b）所小如果设二极管的导通电压为0.7V，集成运放的开环差模放大倍数为50万倍，那么为使二极管D1导通，集成运放的净输入电压0.7v=014×10-=145×10同理可估算出为使D2导通集成运放所需的净输入电压，也是同数量级。可见，只要输入电压u使集成运放的净输入电压产生非常微小的变化，就可以改变D1和D2工作状态，从而达到精密整流的目的在半波精密整流电路中，当u>0时，U=Ku（K>0），当u<0时，U=0若利用反相求和电路将-Ku与山负半周波形相加，就可实现全波整流。分析由A所组成的反相求和运算电路可知，输出电压当u>0时，U=2u，u∞=-（-2u+u）=u；当u<0时，uo=0、想想？）uc-u；所以故此图也称为绝对值电路。当输入电压为正弦波和三角波时，电路输出波形分别如图所示。
标签： 精密整流电路
上传时间： 2022-06-26
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1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制，达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展，工作频率已逐步由低频，向中频、高频方向发展。在电力电子学中，一般定义工作在400赫兹以下的频率称为低频；400赫兹以上、10千赫兹以下为中频；10千赫兹以上为高频。在实践中，人们逐渐认识到高频化潜在着巨大的优越性甚至不仅仅是量的变化，而是质的变化，是电力电子发展的飞跃。就电源而言，从工作在低频下50Hz传统直流电源到今天的开关电源（指广义开关电源）不仗达到小塑轻量化的自的，而直潜在着对应用对象的工艺性能有极大的改善如高频逆变式整流焊机电源、高频直流电渡电源等。然而这些电源都要进行高频整流。高频整流中一些在低频整流中被忽视的问题而在高频设计中必须被认真考虑，予以重视。
标签： 高频
上传时间： 2022-06-26
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
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