AT89S52中文版数据资料 AT89S52 for chinese It s very convenient
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上传时间： 2014-01-16
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mma7660英文芯片资料
上传时间： 2013-10-18
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正交频分复用（OFDM，Orthogonal Frequency Division Multiplexing）是当前一种非常热门的通信技术。它即可以被看作是一种调制技术，也可以被看作是一种复用技术。由于它具有抗多径衰落和频谱利用率高的特点，因此被广泛应用于高速数字通信领域，比如应用于IEEE 802.11a无线局域网（WLAN）的物理层等等。我的毕业设计的核心任务是：采用FPGA来实现一个基于OFDM技术的通信系统中的基带数据处理部分，即调制解调器。其中发射部分的调制器包括：信道编码（Reed-Solomon编码），交织，星座映射，FFT和插入循环前缀等模块。我另外制作了相应的解调器，可以实现上述功能的逆变换。另外，我还对OFDM技术，IEEE 802.11a的标准文献，基于Simulink的OFDM模型和仿真，ALTERA公司的技术和IP Core的使用等方面进行了研究。这些在文章中都有体现。
上传时间： 2022-07-29
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高中压断路器是电力系统中最重要的开关设备，用高中压断路器保护电力系统至今已经历了一段漫长历史。从最初的油断路器发展到压缩空气断路器，再到目前作为无油化开关的真空断路器和SF6断路器。其中真空断路器以其小型化和高可靠性等优点，已在高中压领域得到愈来愈广泛的应用。作为真空断路器的核心部件，真空灭弧室的研究和开发显得尤为重要。 真空灭弧室的小型化是国外关注的问题，我国很多相关的研究所和高等院校都曾作过不少研制工作，研究的方向是采用各种纵向磁场结构电极的真空灭弧室和寻求新的触头材料。由于纵向磁场结构的电极开断能力强，在额定短路开断电流、设计裕度和工艺水平相同的情况下，纵向磁场的电极比横向磁场的电极小得多。因此，采用纵向磁场结构电极的真空灭弧室可以缩小整体尺寸。 本设计从真空灭弧室的具体模型出发，应用ANSYS8.1的电磁场分析软件，对600A的真空灭弧室触头间的纵磁场进行计算与分析，可得到接近实际的动、静触头电流流向矢量分布图，线圈磁感应强度与线圈几何尺寸的关系，触头开距对磁场分布的影响及电弧在不同位置时的受力分析等。由不同线圈截面积与纵磁磁场强度的关系分布，可得出在分断电流不变的情况下，线圈愈小磁场强度愈强。由触头开距与磁场强度的关系，可见触头间距越小，两触头间越能获得较大的磁感应强度。对真空灭弧室极问磁场分布以及电弧在触头上不同位置受力进行分析，结果表明随着磁感应强度变小，电弧受力也相对的变小。 通过ANSYS仿真分析，为真空断路器灭弧室的设计提供了比较准确的数据资料。进而使产品的设计、开发建立在较为科学的基础上，为产品实际研制提供理论依据。
上传时间： 2013-06-20
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CH341中文手册:CH341 是一个USB总线的转接芯片，通过USB总线提供异步串口、打印口、并口以及常用的2线和4 线等同步串行接口。在异步串口方式下，CH341提供串口发送使能、串口接收就绪等交
上传时间： 2013-07-25
上传用户：龙飞艇
The MAX5713/MAX5714/MAX5715 4-channel, low-power,8-/10-/12-bit, voltage-output digital-to-analog converters(DACs) include output buffers and an internal referencethat is selectable to be 2.048V, 2.500V, or 4.096V. TheMAX5713/MAX5714/MAX5715 accept a wide supplyvoltage range of 2.7V to 5.5V with extremely low power(3mW) consumption to accommodate most low-voltageapplications. A precision external reference input allowsrail-to-rail operation and presents a 100kI (typ) load toan external reference.
上传时间： 2013-12-23
上传用户：ArmKing88
The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSFET. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.
上传时间： 2013-12-20
上传用户：zhangxin
电磁炉的IC
上传时间： 2014-11-26
上传用户：koulian
锂电池充电芯片
上传时间： 2013-11-14
上传用户：huql11633
MC74HC154
上传时间： 2014-09-02
上传用户：亚亚娟娟123
