透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
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P C B 可测性设计布线规则之建议― ― 从源头改善可测率PCB 设计除需考虑功能性与安全性等要求外,亦需考虑可生产与可测试。这里提供可测性设计建议供设计布线工程师参考。1. 每一个铜箔电路支点,至少需要一个可测试点。如无对应的测试点,将可导致与之相关的开短路不可检出,并且与之相连的零件会因无测试...
单片机应用技术选编10 目录 第一章 专题论述1.1 嵌入式系统的技术发展和我们的机遇(2)1.2 一种新的电路设计和实现方法——进化硬件(8)1.3 从8/16位机到32位机的系统设计(13)1.4 混合SoC设计(18)1.5 AT24系列存储器数据串并转换接口的IP核设计(23)1.6 低能耗...
单片机应用技术选编(11) 目录 第一章 专题论述 1.1 3种嵌入式操作系统的分析与比较(2) 1.2 KEIL RTX51 TINY内核的分析与应用(8) 1.3 中间件技术及其发展展望(13) 1.4 嵌入式实时操作系统μC/OSⅡ的移植探讨(19) 1.5 μC/...