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抗电磁干扰

  • 开关电源电磁干扰的产生和抑制

    EMC

    标签: 开关电源 电磁干扰

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:1142895891

  • 工程师必备_EMC必备

    一、EMC 工程师必须具备的八大技能 二、EMC 常用元件 三、EMI/EMC 设计经典 85 问 四、EMC 专用名词大全 五、产品内部的 EMC 设计技巧 六、电磁干扰的屏蔽方法 七、电磁兼容(EMC)设计如何融入产品研发流程

    标签: EMC 工程师

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:wangrong

  • 280W移相全桥软开关DC

    移相控制的全桥PWM变换器是最常用的中大功率DC/DC变换电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件,使开关管能进行零电压开通和关断,从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声,减少了器件开关过程中产生的电磁干扰,为变换器提高开关频率、提高效率、减小尺寸及减轻质量提供了良好的条件。然而,传统的移相全桥变换器的输出整流二极管存在反向恢复过程,会引起寄生振荡,二极管上存在很高的尖峰电压,需增加阻容吸收回路进行抑制,文献提出了两种带箝位二极管的拓扑,可以很好地抑制寄生振荡。本文采取文献提出的拓扑结构,设计了一台280 W移相全桥软开关DC/DC变换器,该变换器输入电压为194~310 V,输出电压为76V。

    标签: 280W 移相全桥 软开关

    上传时间: 2014-08-30

    上传用户:thing20

  • 系统级封装的电源完整性分析和电磁干扰研究

    本论文系统研究了系统级封装的电源完整性分析,电源分布网络设计以及三维混合芯片堆叠引起的近场耦合问题。对封装级PDN结构设计,宽频带、高隔离深度的噪声隔离抑制技术以及新型混合芯片三维堆叠屏蔽结构进行了重点研究上。

    标签: 系统级封装 电源完整性 电磁干扰

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:gaome

  • GB8898-2001拔除电源插头测试方法讨论

    在一般开关电源电路中,L-N之间通常会设计放置一个X电容,此电容的作用一般都是为了抑制电磁干扰。然而,从安全的角度出发,在电路工作时,该电容会储存电荷,而当电源插头从插座中拔出时,如果人体触摸到插头,该电容则会通过人体放电,有可能产生触电危险。因此,GB8898-2001标准中,第9.1.6章专门对电路的拔出电源插头放电情况进行了测试。

    标签: 8898 2001 GB 电源插头

    上传时间: 2013-10-28

    上传用户:zwei41

  • 基于合成扼流圈的开关电源EMI滤波器设计

    摘要:为改善传统EMI滤波器的滤波性能,分析并采用了合成扼流圈来替代传统分立扼流圈,并根据滤波器阻抗失配原理,通过分析LISN网络与噪声源的阻抗特性,分别对共差模等效电路进行分析与设计,提出了基于合成扼流圈的开关电源EMI滤波器设计方法。试验结果证明,此方法是有效的,并已成功地应用在燃料电池轿车用DC/DC变换器的控制电路板设计中。关键词:开关电源;电磁干扰;合成扼流圈;共模电感

    标签: EMI 合成 扼流圈 开关电源

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:邶刖

  • EFT原理及解决方法

    量度继电器、继电保护及自动化装置(以下简称继电器及装置)随着电子技术的发展已实现微机化及数字化。在电力系统恶劣的电磁环境中经常受到电磁骚扰,出现电磁干扰的几率很大,严重影响量度继电器及装置的正常工作。其中影响较大的是瞬态脉冲骚扰。本文从分析瞬态脉冲骚扰产生的原因着手,总结出各种瞬态脉冲骚扰的特征,提出抑制的方法。关键词:瞬态脉冲骚扰; 原因及特征; 抑制方法。

    标签: EFT

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:shen954166632

  • PHILIPS公司80C51系列单片机与众不同的4大特点是什

    1.UART增加2个新的特性,即帧错误检测和多机通信中的从机地址自动识别。(1)帧错误检测可用于UART检查工作方式1、2和3时的停止位。例如,由于UART通信线路上的噪声或者2个MCU同时发送可能引起停止位的丢失。(2)多机通信中的从机地址自动识别功能即是说只允许该地址从机被硬件中断,而不是由软件进行地址比较的,那么自动地址识别可以减少为UART服务所需要的MCU时间。与此同时使用广播地址可以一次寻址所有的从处理器。2.4个中断优先级:IPH和IP结合使用决定了每个中断的优先级,00、01、10、11的排列依次由低到高组成4级中断优先权。3.双DPTR指针:可用于寻址外部数据存储器。通过对AUCR1的DPS位编程,以实现对2个16位DPTR寄存器的切换。4.将AUXR.0置位,禁止ALE的信号输出,从而达到降低单片机本身的EMI电磁干扰。

    标签: PHILIPS 80C51 单片机

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:hj_18

  • Philips单片机P89V51RD2简介

    P89V51RD2 是一款带有64KB 程序Flash 和1024B 数据RAM 的80C51 微控制器。P89V51RD2 有一个关键的特性就是其具有X2 模式。在实际应用中,设计工程师可以让芯片工作于传统80C51 的12 时钟模式(12 个时钟周期合1 个机器周期),或者选择X2模式(6 个时钟周期合1 个机器周期),在相同时钟频率下获得双倍的吞吐量。另一种从这种特性获益的方法是降低一半的时钟频率仍然可以保持相同的性能,这可以显著地降低EMI电磁干扰

    标签: Philips P89 89V V51

    上传时间: 2014-12-28

    上传用户:icarus

  • 改善基于微控制器的应用的瞬态免疫性能

    家电制造业的竞争日益激烈,市场调整压力越来越大,原始设备制造商们(OEM)为了面对这一挑战,必须在满足电磁兼容性的条件下,不断降低产品的成本。由于强调成本控制,为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护,对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰(EMI)控制措施为节约成本让路,家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容(EMC)需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器(MCU)的影响,并提供了切实可行的硬件和软件设计技术,这些技术可以为电快速瞬变(EFT)、静电放电(ESD)以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商,但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器,通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm~0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内(或超过300 MHz 的等同带宽)的信号。因此, MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板(PCB)的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响(强调对最大影响的贡献)如图1 所示。

    标签: 微控制器 瞬态免疫 性能

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Jerry_Chow