📚 抑制技术资料

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抑制技术是电子工程中不可或缺的一环，专注于减少或消除电路中的噪声、干扰及不必要的信号波动，确保系统稳定性和信号完整性。广泛应用于电源管理、通信设备、音频处理等多个领域，对于提升产品性能至关重要。通过深入学习抑制技术，工程师不仅能掌握如何有效控制电磁兼容性问题，还能优化设计以满足更严格的行业标准。探索我们的566个精选资源，从基础理论到高级应用，助您成为抑制领域的专家。

🔥 抑制热门资料

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一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...

📅 2014-12-03 👤 88mao

CMOS 高电源抑制工艺基准电压源

开关电源的EMI产生的源头以及抑制

开关电源的EMI产生的源头以及抑制...

📅 2013-12-29 👤 assef

EMI 开关电源

抑制同步开关噪声的新颖电磁带隙结构

文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙（MS-EBG）结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6～...

📅 2013-11-07 👤 qimingxing130

同步开关噪声电磁带隙结构

一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V...

📅 2013-11-19 👤 王成林。

高电源抑制带隙基准电压源