性能特性

共 167 篇文章
性能特性 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 167 篇文章,持续更新中。

相敏检波电路鉴相特性的仿真研究

<P>分析了调幅信号和载波信号之间的相位差与调制信号的极性的对应关系,得出了相敏检波电路输出电压的极性与调制信号的极性有对应关系的结论。为了验证相敏检波电路的这一特性,给出3 个电路方案,分别选用理想元件和实际元件,采用Multisim 对其进行仿真实验,直观形象地演示了相敏检波电路的鉴相特性,是传统的实际操作实验所不可比拟的。<BR>关键词:相敏检波;鉴相特性;Multisim;电路仿真</P>

基于MC9S08SL8的电动汽车仪表盘信号转换器设计

<span id="LbZY">笔者以Freescale的S08系列8位微处理器MC9S08SL8为核心,为某电动汽车设计了一款仪表盘信号转换器,实现了电机转速检测、与电机控制器的LIN通信、原车仪表信号模拟等功能。利用芯片内部资源特性设计了其硬件结构及电路,根据仪表盘的原理和工作方式设计了软件流程,装车试验运行稳定,有很高的实用价值。<br /> <img alt="" src="http://

基于FPGA的MSK调制器设计与实现

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">介绍了MSK信号的优点,并分析了其实现原理,提出一种MSK高性能数字调制器的FPGA实现方案;采用自顶向下的设计思想,将系统分成串/并变换器、差分编码器、数控振荡器、移相器、乘法电路和加法电路等6大模块,重点论述了串/

宽带低EVM直接变频发射机

本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案(模拟基带输入、RF输出)。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波,确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。<b

Ku波段30W固态功率放大器

<div> 本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计,包括功率合成网络、微带.波导转换的设计;功率合成电路的设计,特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为:中心频率14.25GHz,带宽500MHz,P.1dB输出功率30W,大信号增益45dB,带内波动小于5dB。<br /> <

高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指

石英晶体振荡器性能参数测试系统研究

<span id="LbZY">文章介绍了石英晶体振荡器的特点及性能参数,由于人工测量繁琐,且容易出错等不足,提出了一种智能测量方法。该方法利用计算机控制技术,实现自动测试石英晶体振荡器的性能参数,并打印测试结果,减少了强度,提高了检测效率。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130H4163615J8.jpg" styl

基于AD9959的高精度多通道雷达信号源设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">现代相控阵雷达为了保证空间功率合成精度需要高精度的雷达信号,设计实现了一种以AD9959为核心的高精度多通道雷达信号源。信号源利用多片AD9959产生3

RF前置放大电路基础知识

<p>   RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下:</p> <p>   (1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考</p> <p>   电压.</p> <p>   (2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成</p> <p>   电压信号进行放大处理.<br /> <img alt="" src="h

扩展电容数字转换器AD7745_AD7746的容性输入范围

本电路提供一种扩展AD7745/AD7746容性输入范围的方法。同时,还说明如何充分利用片内CapDAC,使范围扩展系数最小,从而优化电路,实现最佳性能。AD7745具有一个电容输入通道,AD7746则有两个通道。每个通道均可配置为单端输入或差分输入方式。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201155GC96.jp

基于ADS高效率微波功率放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件,选取合适的静态直流工作点,采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性,并通过设计和优化得到最佳的共轭匹

DN463 - 将您的微控制器ADC升级至真正的12位性能

LTC&reg;2366 及其较慢速的版本提供了一种高性能的替代方案,如表 1 中的 AC 规格所示。您不妨将这些有保证的规格与自己现用微控制器内置的 ADC 进行一番比较。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13052014501E16.jpg" /><br />

25W立体声数字放大器-德州仪器

<div> TAS5727EVM 评估板用于演示和证明德州仪器TAS5727 器件的性能。TAS5727 将一个高性能的PWM处理器与一个D 类音频功率放大器整合在一起。该EVM 可以利用两个桥接负载(BTL) (2.0) 来配置。如需了解有关TAS5727EVM 器件的详细信息,请查阅(器件数据表SLOS637)。脉宽调制器(PWM)基于TI 的Equibit&trade;技术。TAS5727

基于DDFS的程控音频仪器测试信号源设计

<span id="LbZY">文中介绍一种基于DDFS(直接频率合成)技术的可编程音频仪器测试信号源设计。该系统采用单片机作为控制器,以FPGA(现场可编程门阵列)作为信号源的主要平台,利用DDFS技术产生一个按指数衰减的频率可调正弦衰减信号。测试结果表明,该系统产生的信号其幅度可以按指数规律衰减;其频率可以在1~4 KHz频率范围内按1 Hz步长步进。可以方便的用于测试音频仪器设备的放大和滤波

基于FPGA的DDC中CIC滤波器的设计

<span id="LbZY">文中基于多速率数字信号处理原理,设计了用于数字下变频技术的CIC抽取滤波器。通过分析CIC滤波器的原理及性能参数,利用MATLAB设计了符合系统要求的CIC滤波器,并通过FPGA实现了CIC滤波器的设计。</span><br /> <br />

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

第18讲 交流负反馈对放大电路性能的影响

模电

MOS管驱动电路总结

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120401152045144.jpg" />

低功耗高速跟随器的设计

提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能